[發明專利]一種單晶光纖熒光溫度傳感器探頭及其制備方法

無效

• 申請號: 201110139415.3
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102297733A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 葉林華;吳月霞;鄧湘元
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G01K11/32
• 分類號: G01K11/32
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 陳昱彤

1.一種單晶光纖熒光溫度傳感器探頭，其特征在于：由單晶光纖（1）與熒光光纖探頭（2）直接生長為一體。

2.根據權利要求1所述的單晶光纖熒光溫度傳感器探頭，其特征在于：所述單晶光纖（1）的材料為Al₂O₃或Y₃Al₅O₁₂。

3.一種權利要求1或2的單晶光纖熒光溫度傳感器探頭的制備方法，其特征在于：使用附著方法在清潔的單晶源棒（5）一端附上一層熒光氧化物（6），接著將附著了熒光氧化物（6）的單晶源棒（5）安裝到激光加熱基座法生長裝置的源棒夾具中，并將單晶光纖籽晶（3）安裝到激光加熱基座法生長裝置的籽晶夾具中；將兩束CO₂激光束聚焦到單晶源棒（5）的頂端，待單晶源棒（5）的頂端熔化形成穩定熔區后，將所述籽晶夾具中的單晶光纖籽晶（3）下降點入到單晶源棒頂端的所述熔區而形成單晶光纖生長熔區（4）；接著將單晶光纖籽晶（3）以提拉速度V_f向上提拉，同時將單晶源棒（5）以饋送速度V_s向上饋送，從而生長出單晶光纖，單晶光纖提拉速度V_f與單晶源棒饋送速度V_s滿足以下關系：

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式中，D_f、D_s?分別為生長出的單晶光纖直徑和單晶源棒直徑；

????當單晶源棒上附著的熒光氧化物（6）饋送進入到單晶光纖生長熔區（4）后，生長出的單晶光纖摻入了用于熒光溫度傳感的熒光離子而在單晶光纖上生長出熒光光纖探頭（2），得到所述單晶光纖熒光溫度傳感器探頭。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征是：所述單晶光纖（1）的直徑為100μm～1000μm。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征是：所述熒光氧化物（6）為過渡離子氧化物或稀土離子氧化物。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征是：所述附著方法為涂敷或蒸鍍。