[發明專利]一種微納米拓撲智能膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201110138882.4 | 申請日： | 2011-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN102250373A | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發明（設計）人： | 陳莉;賀曉凌;聶萍萍;趙義平 | 申請（專利權）人： | 天津工業大學 |
| 主分類號： | C08J7/18 | 分類號： | C08J7/18;C08J5/18;C08F257/02;C08F120/54;C12N5/00 |
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| 地址： | 300160*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 拓撲 智能 及其 制備 方法 | ||
1.一種微納米拓撲智能膜，其特征在于所述微納米拓撲智能膜溫度響應范圍為31℃-33℃，所述微納米拓撲智能膜可由下述方法制得：
(1)微納米拓撲膜的制備：
將聚苯乙烯(PS)溶于四氫呋喃，在具有拓撲結構的硅片上用刮膜法刮涂聚苯乙烯膜，真空干燥，得到PS拓撲膜，清洗干燥；
(2)微納米拓撲智能膜的制備：
將N-異丙基丙烯酰胺(NIPAAm)溶于二甲基亞砜(DMSO)中，充氮氣除去空氣，PS拓撲膜在氮氣環境下用等離子體處理30s～120s，放入N-異丙基丙烯酰胺溶液中，繼續維持氮氣環境15min后密封，40～60℃水浴振蕩2～24h，清洗干燥；得到微納米拓撲智能膜。
2.如權1所述一種微納米拓撲智能膜，其特征在于所述溫度響應范圍為32℃。
3.一種微納米拓撲智能膜制備方法，包括如下步驟：
(1)微納米拓撲膜的制備：
將聚苯乙烯(PS)溶于四氫呋喃，在具有拓撲結構的硅片上用刮膜法刮涂聚苯乙烯膜，真空干燥，得到PS拓撲膜，清洗干燥；
(2)微納米拓撲智能膜的制備
將N-異丙基丙烯酰胺(NIPAAm)溶于二甲基亞砜(DMSO)中，充氮氣除去空氣，PS拓撲膜在氮氣環境下用等離子體處理30s～120s，放入N-異丙基丙烯酰胺溶液中，繼續維持氮氣環境10-15分鐘后密封，40～60℃水浴振蕩2～24h，清洗干燥，得到微納米拓撲智能膜；所述N-異丙基丙烯酰胺溶液質量百分比濃度為5％～30％。
4.如權1，3所述一種微納米拓撲智能膜制備方法，其特征在于所述N-異丙基丙烯酰胺溶液質量百分比濃度為5％～20％。
5.如權1，3所述一種微納米拓撲智能膜制備方法，其特征在于所述步驟(1)中聚苯乙烯溶液濃度為0.2～0.5g/mL。
6.如權1，3所述一種微納米拓撲智能膜制備方法，其特征在于所述步驟(1)中真空干燥溫度為30-40℃；
7.如權1，3所述一種微納米拓撲智能膜制備方法，其特征在于所述步驟(1)中真空干燥溫度為優選37℃。
8.如權1，3所述一種微納米拓撲智能膜制備方法，其特征在于所述步驟(2)中水浴溫度為40℃，45℃或60℃。
9.如權1，3所述一種微納米拓撲智能膜制備方法，其特征在于所述清洗干燥步驟包括乙醇浸泡沖洗，蒸餾水浸泡，超聲清洗，干燥。
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