[發(fā)明專利]場效應(yīng)晶體管及其制造方法和半導(dǎo)體氧化石墨烯制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110137723.2
• 申請日: 2011-05-25
• 公開（公告）號: CN102270665A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林敏之
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;C01B31/02
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種膜，包括：

基層，具有氨基；以及

還原氧化石墨烯層，在所述基層上形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中，所述基層的表面包括絕緣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜，其中，所述基層包括導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板具有在其上形成的絕緣膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的膜，其中，所述導(dǎo)電基板是導(dǎo)電硅基板，并且所述絕緣膜是二氧化硅膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中，所述基層是已經(jīng)過表面處理的絕緣膜，使得所述氨基附接至所述絕緣膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，還包括絕緣膜，其中，所述基層在所述絕緣膜上形成為分離層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中，所述氨基為APTMS或APTES的形式。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中，所述還原氧化石墨烯層的厚度在約0.3nm至約10nm的范圍中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中，所述還原氧化石墨烯層包括多個島，所述島包括通過sp²雜化軌道結(jié)合的碳原子。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的膜，其中，所述島埋入所述還原氧化石墨烯層的絕緣區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的膜，其中，所述多個島通過多個導(dǎo)電溝道互連，從而在所述還原氧化石墨烯層內(nèi)形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的膜，其中，所述導(dǎo)電溝道具有約10nm以下的寬度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中，所述還原氧化石墨烯層具有約0.1eV以上的帶隙。

14.一種還原氧化石墨烯層，包括多個碳原子島，其中，所述多個島通過多個導(dǎo)電溝道互連以形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電溝道具有約10nm以下的寬度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的還原氧化石墨烯層，其中，所述還原氧化石墨烯層的厚度在約0.3nm至約10nm的范圍中。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的還原氧化石墨烯層，其中，所述還原氧化石墨烯層包括多個島，所述島包括通過sp²雜化軌道結(jié)合的碳原子。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的還原氧化石墨烯層，其中，所述島埋入所述還原氧化石墨烯層的絕緣區(qū)。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的還原氧化石墨烯層，其中，所述還原氧化石墨烯層具有約0.1eV以上的帶隙。

19.一種半導(dǎo)體器件，包括：

導(dǎo)電基板；

絕緣膜，在所述導(dǎo)電基板上形成；

基層，包括氨基；以及

還原氧化石墨烯層，在所述基層上形成。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電基板是導(dǎo)電硅基板，并且所述絕緣膜是二氧化硅膜。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述還原氧化石墨烯層上形成的源電極和柵電極。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是場效應(yīng)晶體管。

23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二柵極絕緣膜，覆蓋所述還原氧化石墨烯層，所述第二柵極絕緣膜包括暴露部分的所述還原氧化石墨烯層的開口；

源電極，在第一個所述開口中形成；

漏電極，在第二個所述開口中形成；以及

柵電極，在所述第二柵極絕緣膜上形成。

24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氨基為APTMS或APTES的形式。

25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述還原氧化石墨烯層的厚度在約0.3nm至約10nm的范圍中。

26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述還原氧化石墨烯層包括多個島，所述島包括通過sp²雜化軌道結(jié)合的碳原子。

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述島埋入所述還原氧化石墨烯層的絕緣區(qū)。