[發(fā)明專利]炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110136864.2
• 申請日: 2011-05-25
• 公開（公告）號: CN102243968A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉紅忠;丁玉成;陳邦道;盧秉恒
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號: H01J9/02
• 分類號: H01J9/02
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：

1)在SiO₂基底上通過光刻勻膠工藝涂覆光刻膠；

2)采用掩膜板光刻，顯影在涂覆有光刻膠的SiO₂基底上得到光刻膠圖形陣列；

3)將步驟2)的SiO₂基底通過深干法刻蝕得到SiO₂柱狀陣列；

4)通過濺射沉積或熱蒸鍍工藝在步驟3)的SiO₂基底上制備內(nèi)層金屬電極，中間層氧化物絕緣層、外層金屬電極；

5)采用有機(jī)溶劑丙酮或酒精將SiO₂柱頂部的光刻膠溶解并將其上的三層薄膜剝離，露出柱狀SiO₂頂部；

6)再次采用與步驟2)相同的深干法刻蝕將SiO₂柱狀陣列刻蝕掉，從而形成具有三層薄膜結(jié)構(gòu)的炮筒狀立體薄膜場發(fā)射電子源陣列；

7)采用絲網(wǎng)印刷法印制縱橫總線電極，并在縱橫總線電極的交叉點(diǎn)上用絲網(wǎng)印刷法印制絕緣層隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：所述的炮筒形狀為圓柱形、方柱形或六棱柱形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：所述步驟1)采用勻膠工藝將EPG533紫外光固化正膠均勻旋涂于SiO₂基底之上，旋涂一級轉(zhuǎn)速為300r/min，時間為10s；二級轉(zhuǎn)速為1000r/min，時間為6s，得到的光刻膠厚度為2um，在90℃熱板前烘干。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：所述步驟2)將涂覆有EPG533光刻膠的SiO₂基底，采用紫外光刻10s，并用質(zhì)量濃度為5‰NaOH水溶液顯影，得到光刻膠圖形陣列，其中掩膜板為正方形的圖形陣列，正方形的邊長為20微米，其間距同樣為20微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：所述步驟3)通過深干法刻蝕得到SiO₂柱狀陣列，其中刻蝕氣體為SF₆，流量為100sccm，鈍化氣體采用C₄F₈，流量為100sccm，刻蝕功率700W，刻蝕時間為21min，刻蝕深度為30um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：所述步驟4)磁控濺射沉積制備內(nèi)層金屬電極，中間層SiO₂絕緣層、外層金屬電極，濺射功率為500W，氬氣流量為20sccm，濺射時間分別為1min，30min和10min，對應(yīng)的薄膜厚度分別為25nm，85nm和250nm，所述的金屬電極為Pt、Pd、Au、Ag或Cu。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炮筒結(jié)構(gòu)的立體薄膜場發(fā)射平板顯示器陰極的制作方法，其特征在于：所述步驟5)將濺射后的樣品浸泡在丙酮或酒精中，并在超聲清洗機(jī)中震蕩，將SiO₂柱頂部的光刻膠溶解并將其上的三層薄膜剝離，露出柱狀SiO₂頂部，超聲功率200W，震蕩時間10min。