[發(fā)明專利]發(fā)光二極管光源裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110136561.0
• 申請日: 2011-05-25
• 公開（公告）號: CN102797985A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林新強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V9/10;F21V19/02;F21V23/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括底板及設(shè)置在底板上的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該發(fā)光二極管光源裝置還包括與所述底板滑動(dòng)連接的基座，該基座上設(shè)有熒光粉層，該熒光粉層設(shè)置在遮擋所述發(fā)光二極管芯片出光方向上，并且該熒光粉層分為含有不同顏色熒光粉的多個(gè)區(qū)域；該底板與所述基座可相對滑動(dòng)以使所述發(fā)光二極管芯片對應(yīng)熒光粉層的不同區(qū)域，從而改變發(fā)光二極管光源裝置的出光色溫。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述基座上形成一容置槽以收容所述發(fā)光二極管芯片以及所述熒光粉層，所述發(fā)光二極管芯片上還包覆有一層封裝層，所述熒光粉層設(shè)置在該封裝層的外部，與所述發(fā)光二極管芯片間隔設(shè)置并且置于該發(fā)光二極管芯片上方。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述基座包括頂面及底面，所述容置槽由頂面沿底面方向貫通整個(gè)基座開設(shè)形成。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述容置槽的內(nèi)表面為傾斜面，該傾斜面自基座頂面向基座底面方向延伸并向發(fā)光二極管芯片方向傾斜，容置槽的內(nèi)表面還涂敷有反光材料。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述基座底面上設(shè)置有相互間隔的第一電極及第二電極，所述底板上形成有第三電極及第四電極，所述發(fā)光二極管芯片分別與所述第三電極及第四電極電連接，所述第一電極與第三電極電接觸，第二電極與第四電極電接觸。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述基座的第一電極及第二電極的一端分別延伸到基座兩側(cè)外，用于與外部電路連接。

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述底板上的第三電極及第四電極的一端分別延伸到底板外，用于與外部電路連接。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述基座的兩個(gè)側(cè)面分別向兩側(cè)延伸形成有凸出部，所述底板對應(yīng)所述凸出部形成有導(dǎo)軌，所述基座的凸出部活動(dòng)卡合在所述導(dǎo)軌內(nèi)。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述基座的底面兩側(cè)設(shè)有凹槽，所述底板對應(yīng)所述基座的凹槽形成凸起部，所述底板的凸起部活動(dòng)卡合在所述基座的凹槽內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于：所述熒光粉層分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域位于熒光粉層中部，所述第二區(qū)域圍繞所述第一區(qū)域。