[發(fā)明專利]一種SOI體接觸MOS晶體管及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110135857.0 | 申請(qǐng)日： | 2011-05-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102208449A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蒙飛;仇超 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 soi 接觸 mos 晶體管 及其 形成 方法 | ||
1.一種SOI體接觸MOS晶體管，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底，依次位于所述半導(dǎo)體襯底表面的氧化物埋層和體區(qū)；
位于所述體區(qū)表面的柵極結(jié)構(gòu)，及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)體區(qū)內(nèi)的第一離子區(qū)和第二離子區(qū)，所述第一離子區(qū)和第二離子區(qū)均摻雜有第一導(dǎo)電類型離子；
位于所述第一離子區(qū)背離柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的體區(qū)內(nèi)的第一體接觸區(qū)，及位于所述第二離子區(qū)背離柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)體區(qū)內(nèi)的第二體接觸區(qū)，所述第一體接觸區(qū)和第二體接觸區(qū)均摻雜有第二導(dǎo)電類型離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述SOI體接觸MOS晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型離子與第二導(dǎo)電類型離子的導(dǎo)電類型相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述SOI體接觸MOS晶體管，其特征在于，所述體區(qū)摻雜有第二導(dǎo)電類型離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述SOI體接觸MOS晶體管，其特征在于，所述第一體接觸區(qū)和第一離子區(qū)間的體區(qū)內(nèi)形成有第一隔離區(qū)，在所述第二體接觸區(qū)和第二離子區(qū)間的體區(qū)內(nèi)形成有第二隔離區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述SOI體接觸MOS晶體管，其特征在于，所述體區(qū)的厚度范圍為1000～3000埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述SOI體接觸MOS晶體管，其特征在于，所述第一隔離區(qū)的厚度范圍為500～2000埃，所述第二隔離區(qū)的厚度范圍為500～2000埃。
7.一種SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，包括下列步驟：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有氧化物埋層及位于氧化物埋層表面的體區(qū)；
在體區(qū)中形成第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)；
在所述體區(qū)表面形成柵極結(jié)構(gòu)，及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)體區(qū)內(nèi)的第一離子區(qū)和第二離子區(qū)，所述第一離子區(qū)和第二離子區(qū)均摻雜有第一導(dǎo)電類型離子，所述第一離子區(qū)位于所述第一隔離區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)間的體區(qū)內(nèi)，所述第二離子區(qū)位于所述第二隔離區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)間的體區(qū)內(nèi)；
在所述第一隔離區(qū)背離柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的體區(qū)形成第一體接觸區(qū)，及在所述第二隔離區(qū)背離柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)體區(qū)形成第二體接觸區(qū)，所述第一體接觸區(qū)和第二體接觸區(qū)均摻雜有第二導(dǎo)電類型離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型離子與第二導(dǎo)電類型離子的導(dǎo)電類型相反。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在所述體區(qū)摻雜第二導(dǎo)電類型離子。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在體區(qū)中形成第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)的工藝為：刻蝕體區(qū)，形成第一溝槽和第二溝槽，并對(duì)所述第一溝槽和第二溝槽填充絕緣物質(zhì)，形成第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述絕緣物質(zhì)為氧化硅或氮化硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述體區(qū)的厚度范圍為1000～3000埃。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述SOI體接觸MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一隔離區(qū)的厚度范圍為500～2000埃，所述第二隔離區(qū)的厚度范圍為500～2000埃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
