[發(fā)明專利]具有二極管在存儲(chǔ)串列中的三維陣列存儲(chǔ)器架構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110135848.1
• 申請(qǐng)日: 2011-05-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102789807A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪俊雄;羅棋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/4063
• 分類號(hào): G11C11/4063;G11C5/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種操作存儲(chǔ)裝置的方法，其特征在于，包含：

響應(yīng)一第二讀取操作而在一與一位線耦接的第二存儲(chǔ)單元執(zhí)行一讀取操作，該第二讀取操作是在一與該位線耦接的第一存儲(chǔ)單元執(zhí)行該讀取操作之后進(jìn)行，是執(zhí)行：

施加一讀取偏壓至該第二存儲(chǔ)單元而不需要在施加該讀取偏壓之前對(duì)該位線放電。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該第一存儲(chǔ)單元具有一臨界電壓在多個(gè)可選擇臨界電壓分布中的一較小臨界電壓分布內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該讀取偏壓導(dǎo)致電流通過(guò)介于該源極線與該位線之間的一個(gè)二極管，該二極管防止電流自位線至源極線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該第一存儲(chǔ)單元及該第二存儲(chǔ)單元包含在一三維存儲(chǔ)陣列中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該讀取偏壓根據(jù)是否有電流自第二存儲(chǔ)單元的一源極線流至與該第二存儲(chǔ)單元耦接的該位線而讀取該第二存儲(chǔ)單元上的一數(shù)據(jù)值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，還執(zhí)行：

在施加該讀取偏壓之前，對(duì)該位線預(yù)充電。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，響應(yīng)該第二讀取操作，還執(zhí)行：

在施加該讀取偏壓之前，對(duì)該位線充分地預(yù)充電，使得對(duì)具有一臨界電壓在多個(gè)可選擇臨界電壓分布中的一較小臨界電壓分布內(nèi)的該第二存儲(chǔ)單元響應(yīng)，該電流無(wú)法響應(yīng)施加至該第二存儲(chǔ)單元的讀取偏壓而流動(dòng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，響應(yīng)該第二讀取操作，還執(zhí)行：

施加一系列的遞增大小的電壓至該第二存儲(chǔ)單元的一柵極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，響應(yīng)該第二讀取操作，還執(zhí)行：

施加一系列的遞增大小的電壓至該第二存儲(chǔ)單元的一柵極，包括：響應(yīng)該系列中先前的柵極電壓導(dǎo)致該電流指示該第二存儲(chǔ)單元上的該數(shù)據(jù)值沒(méi)有與具有低于該先前柵極電壓大小的臨界電壓分布對(duì)應(yīng)，施加該系列中的下一個(gè)柵極電壓至該第二存儲(chǔ)單元的柵極。

10.一種存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包含：

多個(gè)存儲(chǔ)單元，其包含一第一存儲(chǔ)單元及一第二存儲(chǔ)單元；

多個(gè)位線與該多個(gè)存儲(chǔ)單元耦接，該多個(gè)位線包括與該第一存儲(chǔ)單元及該第二存儲(chǔ)單元耦接的一位線；

多個(gè)源極線與該多個(gè)存儲(chǔ)單元耦接，該多個(gè)位線包括與該第二存儲(chǔ)單元耦接的一源極線；以及

控制電路，響應(yīng)一第二讀取操作而在一與一位線耦接的第二存儲(chǔ)單元執(zhí)行一讀取操作，該第二讀取操作是在一與該位線耦接的第一存儲(chǔ)單元執(zhí)行該讀取操作之后進(jìn)行，是執(zhí)行：

該控制電路施加一讀取偏壓至該第二存儲(chǔ)單元而不需要在施加該讀取偏壓之前對(duì)該位線放電。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第一存儲(chǔ)單元具有一臨界電壓是在多個(gè)可選擇臨界電壓分布中的一較小臨界電壓分布內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該讀取偏壓倒至電流通過(guò)介于該源極線與該位線之間的一個(gè)二極管，該二極管防止電流自位線至源極線。

13.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第一存儲(chǔ)單元及該第二存儲(chǔ)單元包含在一三維存儲(chǔ)陣列中。

14.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第一存儲(chǔ)單元及該第二存儲(chǔ)單元包含在一多階存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)陣列中。

15.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該控制電路響應(yīng)該第二讀取操作，還執(zhí)行：

在施加該讀取偏壓之前，對(duì)該位線預(yù)充電。

16.根據(jù)權(quán)利要求10項(xiàng)的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該控制電路響應(yīng)該第二讀取操作，還執(zhí)行：

在施加該讀取偏壓之前，對(duì)該位線充分地預(yù)充電，使得對(duì)具有一臨界電壓在多個(gè)可選擇臨界電壓分布中的一較小臨界電壓分布內(nèi)的該第二存儲(chǔ)單元響應(yīng)，該電流無(wú)法響應(yīng)施加至該第二存儲(chǔ)單元的讀取偏壓而流動(dòng)。

17.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該控制電路響應(yīng)該第二讀取操作，還執(zhí)行：

施加一系列的遞增大小的電壓至該第二存儲(chǔ)單元的一柵極。