[發明專利]一種適用于高Tg玻璃布板、無鹵素板和高CTICEM-1板的電解銅箔的制備方法有效
| 申請號: | 201110135485.1 | 申請日: | 2011-05-23 | 
| 公開(公告)號: | CN102797021A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 | 
| 發明(設計)人: | 郭偉;黃文榮;吳偉安 | 申請(專利權)人: | 建滔(連州)銅箔有限公司 | 
| 主分類號: | C25D1/04 | 分類號: | C25D1/04;C25D3/38 | 
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 李新林 | 
| 地址: | 513400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 tg 玻璃 鹵素 cticem 電解 銅箔 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種適用于高Tg玻璃布板、無鹵素板和高CTICEM-1板的電解銅箔,以及該電解銅箔的制備方法,屬于電解銅箔領域。?
背景技術
針對高Tg型CCL的高耐熱性樹脂由于一般有聚合度高、交連密度大的特點通常一般電解銅箔與基材在連接強度方面偏低,耐化學性差;針對無鹵化CCL及低膨脹系數性CCL由于樹脂組成物中有大量無機填料的存在,造成樹脂實際含量低,一般銅箔與基材連接強度偏低,耐化學性差。?
發明內容
本發明的目的是:一種適用于高Tg玻璃布板、無鹵素板和高CTICEM-1板的電解銅箔,以及該電解銅箔的制備方法,通過本發明的電解液組合以及電沉積工藝參數的合理的配置,并通過添加合理添加劑,生成低峰值銅箔,并經過特殊粗化工藝來增強其粗化鍍層,以提高銅箔與特殊板材的結合力和耐化學性。?
本發明的技術方案:通過電解液組合以及電沉積工藝參數的合理配置,并在電沉積過程中添加添加劑來實現,其工藝如下:?
一種適用于高Tg玻璃布板、無鹵素環保板和高CTICEM-1板的電解銅箔的其制備方法包括,電解液中銅含量60~90g/L,硫酸含量100~160g/L,溫度40~60℃的參數配合,并向電解液中添加添加劑,使電解液流量為50~90m3/h,電流密度4500~10000A/m2條件下進行電沉積,該電解液添加的添加劑包括:Cl-和明膠,添加劑流量為100mL/min~1000mL/min。?
所述的電解后的銅還要進行粗化工藝,所述粗化工藝首先將電解后的生箔,依次通過酸洗、粗化、固化、弱粗化、水洗、耐熱層處理、水洗、防氧化處理、水洗、涂硅烷偶聯劑及烘烤,最后得到粗化銅箔。酸洗槽中硫酸濃度為140-160g/l,溫度為25-50℃,酸洗時間2-4秒。粗化槽中Cu2+濃度為18-22g/l,硫酸濃度為140-160g/l,溫度為30-60℃,粗化所用電流為2000-2200A,粗化時間4-8秒。固化槽中Cu2+濃度為77-83g/l,硫酸濃度為120-140g/l,溫度為25-45℃,固化所用電流為1800-2000A,固化時間4-8秒。弱粗化槽中Cu2+濃度為14-16g/l,硫酸濃度為110-130g/l,溫度為25-45℃,弱粗化所用電流為500-800A,弱粗化時間2-4秒。耐熱性處理槽中Zn2+濃度為8-12g/l,添加劑濃度為40-60g/l,PH值控制在10-14,溫度為25-45℃,耐熱層處理所用電流為100-200A,所用時間2-4秒。防氧化處理槽中Cr6+濃度為8-12g/l,PH值控制在10-14,溫度為20-45℃,防氧化處理所用電流為100-200A,所用時間2-4秒。偶聯劑處理采用濃度?5-15g/l·的氨基硅烷偶聯劑水溶液。?
通過本發明的電解液組合以及電沉積工藝參數的合理的配置,并通過添加合理添加劑,生成低峰值銅箔,并經過特殊粗化工藝來增強其粗化鍍層,以提高銅箔與特殊板材的結合力和耐化學性。?
附圖說明:
圖1為本發明工藝流程。?
具體實施方式:
實施例1:12μ適用于高Tg玻璃布板、無鹵素板和高CTICEM-1板的電解銅箔,采用電解液中銅含量60~90g/L,硫酸含量100~160g/L,溫度40~60℃的參數配合,并向電解液中添加添加劑,使電解液流量為50~90m3/h,電流密度6500A/m2條件下進行電沉積,該電解液添加的添加劑包括:Cl-和明膠,添加劑流量為100mL/min~300mL/min。由以上工藝參數可得12μ低峰值生箔,再按附圖1的粗化工藝流程和條件進行粗化:?
各流程的電解參數如下:?
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