[發明專利]埋置有源元件的基板及埋置方法

有效

• 申請號: 201110135359.6
• 申請日: 2011-05-24
• 公開（公告）號: CN102800598A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 張霞;萬里兮
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H05K1/18;H05K3/30
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種在基板中埋置有源元件的方法，其特征在于，該方法包括：

在第一承載板的導電層上形成第一內層電路圖形；

將有源元件連接至第一承載板上的所述第一內層電路圖形；

在介質板上所述有源元件的對應位置加工空穴，所述空穴的長度和寬度均等于或大于所述有源元件的長度和寬度；

將第二承載板、帶有所述空穴的介質板和帶有有源元件的第一承載板依次對準堆疊，形成有源元件埋入模塊，所述第一承載板上的有源元件位于所述有源元件埋入模塊的內部，置入介質板上的所述空穴；

將所述有源元件埋入模塊進行熱壓，形成埋置有源元件的基板，所述熱壓的溫度大于等于所述介質板的玻璃轉化溫度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述介質板為一層或多層，所述一層或多層的介質板的總厚度大于所述有源元件的厚度。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述介質板采用以下材料中的一種制備：聚酰亞胺、聚丙烯、液晶聚合物、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、環氧樹脂、聚四氟乙烯或者苯丙環丁烯。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述在介質板上有源元件的對應位置加工空穴的步驟中，所述加工的方式為以下方法中的一種：光刻法、等離子體刻蝕法或激光加工法。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對于帶有凸點的有源元件，所述將有源元件連接至第一承載板的第一內層電路圖形的步驟包括：

使用倒裝焊鍵合機將有源元件的被動面吸住；

按照預設的鍵合參數，將所述有源元件的主動面倒裝鍵合至第一承載板的第一內層電路圖形。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，

所述將有源元件的主動面倒裝鍵合至第一承載板的第一內層電路圖形的步驟之后還包括：在所述有源元件和所述第一承載板的結合部填充底部填充膠，進行回流焊接；或

所述將有源元件的主動面倒裝鍵合至第一承載板的第一內層電路圖形的步驟之前還包括：在所述第一承載板上覆蓋連接材料，該連接材料為各向異性導電薄膜或各向異性導電膠。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述將有源元件的主動面連接至第一承載板的第一內層電路圖形的步驟之后還包括：在所述有源元件的被動面上粘附界面散熱材料或添加金屬散熱片；或

所述將有源元件埋入模塊進行熱壓，形成埋置有源元件的基板的步驟之后還包括：在所述基板上設置散熱孔，該散熱孔用于埋置其內的所述有源元件的散熱。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述界面散熱材料為采用靜電紡絲技術將聚亞安酯制備成界面散熱材料的納米纖維基底，并在此基礎上添加高熱納米顆粒制備而成。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，

所述將第二承載板、帶有空穴的介質板和帶有有源元件的第一承載板依次堆疊的步驟之前還包括：在第二承載板的導電層上形成第二內層電路圖形；

所述將第二承載板、帶有空穴的介質板和帶有有源元件的第一承載板依次堆疊的步驟中：第二承載板上的所述第二內層電路圖形朝向所述有源元件埋入模塊內側。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述將依次堆疊的所述第一承載板、介質板和第二承載板進行熱壓的步驟之后還包括：

在所述第一承載板上所述第一內層電路圖形所在導電層相對的另一側導電層上形成第一外層電路圖形；和/或

在所述第二承載板上所述第二內層電路圖形所在導電層相對的另一側導電層上形成第二外層電路圖形。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述將第二承載板、帶有空穴的介質板和帶有有源元件的第一承載板依次對準堆疊的步驟之前還包括：

將無源元件連接至第一內層電路圖形或第二內層電路圖形；

在介質板上所述無源元件的對應位置加工空穴，所述空穴的長度和寬度均等于或大于所述無源元件的長度和寬度。