[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管元件及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110135000.9 | 申請(qǐng)日： | 2011-05-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102623609A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 簡(jiǎn)竹模 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 奇力光電科技股份有限公司;佛山市奇明光電有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 元件 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管元件，包含：
金屬散熱座；
金屬層，覆蓋在該金屬散熱座上；
封裝基座，設(shè)于該金屬層上，且具有凹槽，其中該封裝基座包含金屬基板、以及絕緣層，其包覆住該金屬基板；
發(fā)光二極管芯片，設(shè)于該凹槽中，其中該發(fā)光二極管芯片具有不同電性的一第一電性電極與一第二電性電極；
第一電極墊與一第二電極墊，設(shè)于該封裝基座上，且分別與該第一電性電極和該第二電性電極電連接；以及
封裝膠體，包覆住該凹槽及該發(fā)光二極管芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中該金屬基板的材料包含鋁或銅。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中該絕緣層的材料包含氧化鋁、氮化硅或二氧化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，還包含兩連接導(dǎo)線，分別將該第一電極墊和該第二電極墊連接至一外部電源。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中
該金屬散熱座與該金屬層還包含有第一間隙，以使該第一電極墊與該第二電極墊電性分離于該第一間隙的二側(cè)；以及
該封裝基座還具有兩通孔，貫穿該封裝基座，且該封裝基座包含兩導(dǎo)線接腳，分別設(shè)于該些通孔中，以將該第一電極墊和該第二電極墊分別電連接至位于該第一間隙的該些側(cè)的該金屬散熱座。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管元件，其中該金屬散熱座與該金屬層還包含有第二間隙，且該第一間隙與該第二間隙分別位于該發(fā)光二極管芯片的兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，還包含反射層，覆蓋在該凹槽的側(cè)壁上。
8.一種發(fā)光二極管元件的制作方法，包含：
提供一封裝基座，其中該封裝基座具有至少一凹槽，且該封裝基座包含金屬基板、以及絕緣層，包覆住該金屬基板；
形成一第一電極墊與一第二電極墊于該封裝基座上；
提供一暫時(shí)基板，其中該暫時(shí)基板上設(shè)有一高分子材料層；
將該封裝基座與至少一發(fā)光二極管芯片嵌設(shè)于該高分子材料層中，并使該發(fā)光二極管芯片位于該凹槽中，其中該發(fā)光二極管芯片具有不同電性的第一電性電極與第二電性電極；
形成一金屬層覆蓋在該高分子材料層、該封裝基座與該發(fā)光二極管芯片上；
形成一金屬散熱座于該金屬層上；
移除該暫時(shí)基板與該高分子材料層，以暴露出該第一電性電極、該第二電性電極、該第一電極墊與該第二電極墊；
將該第一電性電極和該第二電性電極分別與該第一電極墊和該第二電極墊電連接；以及
形成一封裝膠體包覆住該凹槽及該發(fā)光二極管芯片。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管元件的制作方法，其中提供該封裝基座的步驟包含：
提供一金屬平板；
形成一貫穿槽于該金屬平板中，以形成該金屬基板；以及
形成該絕緣層包覆住該金屬基板。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管元件的制作方法，其中
該金屬平板的材料包含鋁；
形成該貫穿槽的步驟包含利用一機(jī)械加工方式；以及
形成該絕緣層的步驟包含利用一陽(yáng)極處理方式，以形成一氧化鋁層來(lái)作為該絕緣層。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管元件的制作方法，其中
該金屬平板的材料包含銅；
形成該貫穿槽的步驟包含利用一機(jī)械加工方式；以及
形成該絕緣層的步驟包含利用一沉積方式，以形成該絕緣層。
12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管元件的制作方法，其中
提供該封裝基座的步驟還包含于形成該絕緣層的步驟前，形成兩通孔，貫穿該金屬平板且分別位于該貫穿槽的兩側(cè)；
在形成該金屬層的步驟前，該發(fā)光二極管元件的制作方法還包含形成兩導(dǎo)線接腳，分別位于該些通孔中，其中該些導(dǎo)線接腳適用以分別將該第一電極墊和該第二電極墊電連接至該金屬層；以及
形成該金屬層的步驟與形成該金屬散熱座的步驟包含形成一第一間隙穿設(shè)于該金屬散熱座與該金屬層所構(gòu)成的一堆疊結(jié)構(gòu)中，以使該第一電極墊與該第二電極墊電性分離于該第一間隙的兩側(cè)。
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H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
