[發明專利]具有直接轉換的半導體層的射線轉換器及其制造方法

有效

• 申請號: 201110134901.6
• 申請日: 2011-05-23
• 公開（公告）號: CN102254983A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 克里斯琴.施羅特
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;H01L31/18;G01T1/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 謝強

1.一種具有直接轉換的半導體層(2)的射線轉換器(1)，其中，所述半導體層(2)具有晶粒(3)，這些晶粒(3)的界面(4)至少在主要部分上平行于在該半導體層(2)中釋放的電子的通過電場強制的漂移方向(5)延伸。

2.根據權利要求1所述的射線轉換器(1)，其中，所述界面(4)連續地在所述半導體層(2)的整個層厚上延伸。

3.根據權利要求1或2所述的射線轉換器(1)，其中，所述半導體層(2)被設置在種晶層(6)上。

4.根據權利要求3所述的射線轉換器(1)，其中，所述種晶層(6)的層厚為若干納米，優選在1nm至10μm范圍內。

5.根據權利要求3或4所述的射線轉換器(1)，其中，所述種晶層(6)由半導體材料制成，優選由CdTe、CdZnTe、CdZnTeSe、CdMnTeSe或GaAs半導體材料制成。

6.根據權利要求3或4所述的射線轉換器(1)，其中，所述種晶層(6)由金屬制成，優選由Pt制成。

7.根據權利要求3至6中任一項所述的射線轉換器(1)，其中，所述種晶層(6)構成具有像素形結構的讀取電極(7)。

8.根據權利要求3至7中任一項所述的射線轉換器(1)，其中，所述種晶層(6)被直接設置在讀取電路(8)上。

9.一種用于制造具有直接轉換的半導體層(2)的射線轉換器(1)的方法，包括以下方法步驟：

a)提供種晶層(6)，以及

b)在該種晶層(6)上沉積半導體材料以形成半導體層(2)，其中，該沉積通過預先給定過程參數這樣實現：形成晶粒(3)，使得這些晶粒(3)的界面(4)至少在主要部分上平行于在該半導體層(2)中釋放的電子的通過電場強制的漂移方向(5)延伸。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述提供種晶層(6)這樣實現：將層厚為若干μm的半導體材料或金屬沉積到讀取電路(8)上，其中，該層厚優選在100μm至10μm的范圍內。

11.根據權利要求9或10所述的方法，其中，使用CdTe、CdZnTe、CdZnTeSe、CdMnTeSe或GaAs半導體材料作為用于所述種晶層(6)的半導體材料。

12.根據權利要求9或10所述的方法，其中，使用Pt作為用于所述種晶層(6)的金屬。

13.根據權利要求9至12中任一項所述的方法，其中，所述種晶層(6)是像素形結構化的并且被用作讀取電極(7)。

14.根據權利要求9至13中任一項所述的方法，其中，在進行用于形成所述半導體層(2)的沉積時，在時間上相繼地經歷兩個溫度水平，以及其中，作為過程參數至少設置所述溫度水平之一的位置、在所述溫度水平之一上進行熱處理的時間窗和/或用于達到所述溫度水平之一的溫度梯度。

15.根據權利要求9至14中任一項所述的方法，其中，在提供所述種晶層(6)時將該種晶層(6)直接設置在讀取電路(8)上。