[發明專利]一種含氮硅酸鎂薄膜及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201110134003.0
• 申請日: 2011-05-23
• 公開（公告）號: CN102796517A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種含氮硅酸鎂薄膜，其特征在于，所述薄膜為鈦摻雜含氮硅酸鎂薄膜，所述鈦摻雜含氮硅酸鎂薄膜的化學通式為Mg_1-XSi₂O₂N₂:_XTi⁴⁺，其中，X的取值范圍為0.01～0.15。

2.如權利要求1所述的含氮硅酸鎂薄膜，其特征在于，所述X的取值范圍為0.02～0.08。

3.一種含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

將MgO粉體、SiO₂粉體、Si₃N₄粉體和TiO₂粉體按照摩爾比(1-X)∶0.5∶0.5∶X混合，燒結作為靶材，其中，所述X的取值范圍為0.01～0.15；

將所述靶材裝入磁控濺射腔體內，抽真空，設置工作壓強為0.2Pa～4.5Pa，通入惰性氣體和氫氣的混合氣體，混合氣體流量為15sccm～30sccm，襯底溫度為350℃～750℃，濺射功率為30W～150W，濺射得含氮硅酸鎂薄膜。

4.如權利要求3所述的含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，所述X的取值范圍為0.02～0.08。

5.如權利要求3所述的含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，對制得的含氮硅酸鎂薄膜進一步進行退火處理。

6.如權利要求5所述的含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，所述退火處理的退火溫度為500℃～800℃，所述退火的保溫時間為1h～3h。

7.如權利要求3所述的含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，所述混合氣體中氫氣的體積百分含量為1％～15％。

8.如權利要求3所述的含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，所述混合氣體中氫氣的體積百分含量為3％～8％。

9.如權利要求3至8擇一所述的含氮硅酸鎂薄膜的制備方法，其特征在于，所述腔體的工作壓強為0.8Pa～2.5Pa，所述襯底溫度為400℃～600℃，所述濺射功率為80W～120W。

10.如權利要求1或2所述的含氮硅酸鎂薄膜在場發射器件、陰極射線管和/或電致發光器件中的應用。