[發明專利]一種導熱鋁基核心的金屬基板及其制備方法

無效

• 申請號: 201110132947.4
• 申請日: 2011-05-23
• 公開（公告）號: CN102256441A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 崔國峰;馬達明
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H05K1/05
• 分類號: H05K1/05;H05K3/44
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 陳衛

1.一種導熱鋁基核心的金屬基板，其特征在于是以金屬鋁為基板，上表面經處理生成氧化鋁絕緣層，氧化鋁絕緣層外表面依次鍍上緩沖層、第一導電層、第二導電層和可焊層形成。

2.根據權利要求1所述的金屬基板，其特征在于所述金屬鋁厚度為0.05~5.00?mm，氧化鋁絕緣層厚度為0.01~2.00mm，緩沖層厚度為300~800?，第一導電層厚度為300~800?，第二導電層厚度為0.05~1.00?mm，可焊層厚度為4~20μm。

3.根據權利要求1所述的金屬基板，其特征在于所述緩沖層金屬為鎢、鉬、鈦或其中任意兩種金屬的合金。

4.根據權利要求1所述的金屬基板，其特征在于所述第一導電層金屬為銅、鎳、鐵、銀、金、鈀或其中任意兩種金屬的合金。

5.根據權利要求1所述的金屬基板，其特征在于所述第二導電層金屬為銅、銀、金或其中任意兩種金屬的合金。

6.根據權利要求1所述的金屬基板，其特征在于所述可焊層金屬為化學鍍鎳/浸金、化學鍍/電鍍銀或化學鍍/電鍍錫。

7.權利要求1所述金屬基板的制備方法，其特征在于步驟如下：

（1）用陽極氧化溶液處理金屬鋁基板表面，生成氧化鋁絕緣層；

（2）在氧化鋁絕緣層進行熱應力緩沖層加工，采用物理沉積法，鍍上緩沖層，緩沖層的熱膨脹系數與氧化鋁的熱膨脹系數相一致；

（3）在緩沖層表面采用物理沉積法，鍍上第一導電層金屬；

（4）在第一導電層表面采用電化學沉積法，鍍上第二導電層金屬；

（5）在第二導電層表面進行貼膜、蝕刻處理，得到所需線路，然后采用電化學沉積法，鍍上可焊層金屬。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于步驟（1）所述陽極氧化溶液包含有機添加劑和無機添加劑，其中有機添加劑為乙酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、丙三醇、磺基水楊酸或乙二胺四乙酸中的一種或幾種，無機添加劑為釔、鈰或鑭中任意一種或幾種金屬的鹽。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于所述物理沉積法為離子鍍、濺射或蒸鍍，所述電化學沉積法為電鍍或化學鍍。