[發明專利]基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法有效
| 申請號： | 201110132454.0 | 申請日： | 2011-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN102790139A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發明（設計）人： | 朱浩;曲曉東;趙漢民;閆占彪;劉碩;陳棟 | 申請（專利權）人： | 易美芯光(北京)科技有限公司;晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 101111 北京市亦莊經濟技術*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 藍寶石 剝離 薄膜 gan 芯片 制造 方法 | ||
1.一種基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
刻蝕藍寶石襯底上的外延層；
在刻蝕的外延層上制備反射層材料，并進行合金；
與永久支撐基板鍵合；
在永久支撐基板的另一側采用樹脂與第二基板進行固化；
激光剝離藍寶石襯底；
剝離后去除第二基板和樹脂。
2.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述刻蝕采用ICP或RIE干法刻蝕，刻蝕厚度為至少為1微米。
3.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述反射層材料包括Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr、Ag、SiO2、TiO2、ITO、Al2O3、MgF2中的一種或多種。
4.根據權利要求3所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述反射層材料厚度是500-4000埃。
5.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：在所述反射層材料外面還有保護層，保護層材料包括Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr、Ag、SiO2、TiO2、ITO、Al2O3、MgF2其中的一種或多種。
6.根據權利要求5所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：在所述反射層材料外面還有保護層，保護層材料其厚度是1000-10000埃。
7.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述鍵合采用Au-Au、Au-In、In-In、Ag-In、Ag-Sn或In-Sn中的一種。?
8.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述樹脂可以是環氧類樹脂或者丙烯酸類樹脂，固化方式為熱固化或者UV固化，其固化后硬度為shore?D10-95。
9.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述樹脂可以是環氧類樹脂或者丙烯酸類樹脂，固化方式為熱固化或者UV固化，其固化后硬度為shore?D50-90。
10.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述剝離采用逐行掃面，激光波長為355nm。
11.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述剝離采用單晶粒剝離，激光波長為248nm或192nm。
12.根據權利要求1所述的基于藍寶石剝離的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于：所述第二基板采用Si、陶瓷、W、Cu、Mo、GaAs、石墨、玻璃、藍寶石、有機材料等中的一種或者多種，采用濕法腐蝕、機械研磨或者逐層剝離的方法去除該第二基板。?
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