[發(fā)明專利]訪問包含認證私密鑰的集成電路的方法和系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110132298.8 | 申請日: | 2011-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN102354413B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B·科利耶;R·西米瓊莫 | 申請(專利權(quán))人: | 歐貝特技術(shù)公司 |
| 主分類號: | H04L9/08 | 分類號: | H04L9/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所11038 | 代理人: | 余全平 |
| 地址: | 法國勒瓦*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 訪問 包含 認證 密鑰 集成電路 方法 系統(tǒng) | ||
1.訪問集成電路(10i)的方法,所述方法包括一認證步驟(E13′,E13″):利用訪問裝置(320),通過使用所述集成電路特有的并存儲在該集成電路中的認證私密鑰(MSKDi),對所述集成電路進行認證,所述認證私密鑰通過分散化根密鑰(MSK)生成,其特征在于:
-通過分散化所述根密鑰(MSK)的生成方法實施至少兩個分散化密鑰的步驟(S1,S2),并且
-所述訪問裝置(320)從中央工場(100)接收一中間密鑰(MSKL),所述中間密鑰(MSKL)產(chǎn)生于分散化所述根密鑰(MSK)的第一步分散化驟(S1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述訪問裝置(320)對所述接收的中間密鑰(MSKL)實施(E136′)第二分散化步驟(S2),以獲得用于對所述集成電路(10i)進行認證(E13′,E13″)的所述認證私密鑰(MSKDi)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的方法,其特征在于,所述認證私密鑰(MSKDi)通過基于所述集成電路(10i)的唯一序列號(IDi)分散化所述根密鑰(MSK)的方式獲得。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一分散化步驟(S1)包括基于所述集成電路的唯一序列號(IDi)的第一子部分(IDlot,IDwafer)分散化所述根密鑰(MSK)的操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述序列號(IDi)的所述第一子部分(IDlot,IDwafer)對于多個集成電路是共同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法,其特征在于,第二分散化步驟(S2)包括基于所述集成電路的唯一序列號(IDi)的第二子部分(IDcircuit)分散化所述中間密鑰(MSKL)的操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述唯一序列號的所述第二子部分包含從所述第一子部分(IDlot,IDwafer)識別的所述多個集成電路內(nèi)識別所述集成電路(10i)的識別信息(IDcircuit)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3到7任一項所述的方法,其特征在于,所述集成電路的唯一序列號存儲在所述集成電路的非易失性存儲器上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8任一項所述的方法,其特征在于,所述方法包括在制造工場(200)制造所述集成電路(10i)的制造步驟,和通過所述制造工場,接收來自所述中央工場(100)的所述根密鑰(MSK)或所述中間密鑰(MSKL)的接收步驟(E2),和
所述制造包括將所述根密鑰(MSK)或所述中間密鑰(MSKL)記錄在所述集成電路的非易失性存儲器(12)中的記錄步驟(E4′)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法包括一生成步驟,其在于:在所述集成電路(10i)內(nèi)并在響應(yīng)通過所述集成電路接收的第一信號(E61,E131)時,通過分散化所述記錄的密鑰(MSK,MSKL)生成(E62′,E132″)所述認證私密鑰(MSKDi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法包括一寫入步驟(E64′,E134″):在通過所述集成電路(10i)接收所述第一信號(E61,E131)時,在一次性可編程的非易失性存儲器(15)中寫入一指示第一信號已經(jīng)被接收的信息(150)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,所述方法在接收(E61,E131)信號時和在所述認證私密鑰(MSKDi)的生成(E62′,E132″)啟動之前包括一確定步驟:確定在一次性可編程的非易失性存儲器(15)中存在所述的指示第一信號已經(jīng)接收的信息(150)。
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