[發明專利]半導體器件制造方法

無效

• 申請號: 201110130151.5
• 申請日: 2011-05-17
• 公開（公告）號: CN102290351A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 大倉嘉之;森俊樹
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/316
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張志杰

1.一種半導體器件制造方法，包括：

通過化學氣相沉積，在半導體襯底上形成包含硅、氧及碳的絕緣膜；

在形成所述絕緣膜后，對在350℃或低于350℃的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行UV固化；以及

在所述UV固化后，對所述絕緣膜進行氦等離子體處理。

2.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其中：

所述絕緣膜為SiOC膜。

3.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述UV固化中，對在230℃-350℃范圍內的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述UV固化。

4.如權利要求2所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述UV固化中，對在230℃-350℃范圍內的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述UV固化。

5.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在350℃或低于350℃的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

6.如權利要求2所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在350℃或低于350℃的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

7.如權利要求3所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在350℃或低于350℃的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

8.如權利要求4所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在350℃或低于350℃的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

9.如權利要求5所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在100℃-350℃范圍內的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

10.如權利要求6所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在100℃-350℃范圍內的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

11.如權利要求7所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在100℃-350℃范圍內的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。

12.如權利要求8所述的半導體器件制造方法，其中：

在所述氦等離子體處理中，對在100℃-350℃范圍內的溫度下正在進行加熱的所述絕緣膜進行所述氦等離子體處理。