[發(fā)明專利]一種選擇性濕法刻蝕制備內嵌碳納米管溝槽結構的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110129985.4 | 申請日： | 2011-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN102208350A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙華波;張朝暉;魏芹芹;傅云義;張巖;李彥 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 選擇性 濕法 刻蝕 制備 內嵌碳 納米 溝槽 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種選擇性濕法刻蝕制備內嵌碳納米管的溝槽結構的方法，其包括如下步驟：
1)在表面具有氧化硅層的襯底上直接生長或分散碳納米管；
2)在上述在碳納米管上沉積鈀金屬膜，該金屬膜的厚度以碳納米管的直徑為最大值；
3)用腐蝕溶液刻蝕碳納米管下的氧化硅后，在襯底上得到內嵌碳納米管的溝槽結構。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，襯底的材料為氧化硅、石英玻璃、PET塑料或PDMS。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，碳納米管為單壁碳納米管、單壁碳納米管束、雙壁或多壁碳納米管
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，碳納米管采用化學氣相沉積(CVD)或電弧法方法生長在襯底上。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在碳納米管上沉積可用離子束濺射沉積鈀金屬。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，襯底上的氧化硅表面是平面狀的、三維立體呈陡坡狀的，氧化硅層厚度為20nm以上。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕氧化硅的氫氟酸溶液，其水和氫氟酸的體積比在10∶1～3∶1范圍。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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