[發明專利]一種嵌入區的形成方法以及嵌入源漏的形成方法

有效

• 申請號: 201110129620.1
• 申請日: 2011-05-18
• 公開（公告）號: CN102789984A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 王鶴飛;駱志炯;劉佳
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種嵌入區的形成方法，所述方法包括：

提供襯底以及襯底上的第一結構；

在位于所述第一結構至少一側的襯底上形成溝槽；

進行淀積，在溝槽、襯底、第一結構及第一結構側壁上形成至少一層填充層；

在位于所述溝槽上方的填充層上形成保護層；

去除位于所述襯底表面以上的填充層，以使得所述填充層僅保留在所述溝槽中；

去除所述保護層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述保護層的步驟包括：

在所述填充層的表面上形成保護層；

進行平坦化處理至所述第一結構上的填充層露出；

對所述保護層進行刻蝕，以使得所述保護層僅保留在所述溝槽上方的填充層上。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護層部分或全部覆蓋溝槽的填充層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一結構包括柵極區，

所述在位于第一結構至少一側的襯底上形成溝槽的步驟包括：在所述柵極區側壁下方的襯底內形成溝槽。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在位于第一結構至少一側的襯底上形成溝槽的步驟包括：

進行濕法腐蝕，使得所述溝槽嵌入至所述第一結構的至少一側的下方。

6.根據權利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，所述填充層的材料包括以下任一種或多種的組合：單晶或非晶的Si、Ge、SiGe、GaAs、InP或SiC。

7.根據權利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，所述填充層的材料包括：Al、Ni或其組合。

8.一種嵌入源漏的形成方法，所述方法包括：

提供襯底以及襯底上的柵極區；

在位于所述柵極區至少一側的襯底內形成溝槽；

通過淀積，在所述襯底、溝槽、柵極區及柵極區側壁上形成至少一層填充層；

在位于所述溝槽上方的填充層上形成保護層；

去除位于所述襯底表面以上的填充層，以使得所述填充層僅保留在所述溝槽中；

去除所述保護層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述保護層部分或全部覆蓋溝槽的填充層。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在溝槽的填充層上形成保護層的步驟包括：

在所述填充層的表面上形成保護層；

進行平坦化處理至位于所述柵極區上的填充層露出；

對所述保護層進行刻蝕，以使得所述保護層僅保留在所述溝槽上方的填充層上。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述柵極區包括柵堆疊以及環繞所述柵堆疊的側墻，

則形成溝槽的步驟包括：進行濕法腐蝕，使得所述溝槽嵌入至所述側墻的下方。

12.根據權利要求8至11之一所述的方法，其特征在于，所述填充層的材料包括以下任一種或多種的組合：單晶或非晶的Si、Ge、SiGe、GaAs、InP或SiC。

13.根據權利要求8至11之一所述的方法，其特征在于，所述填充層的材料包括：Al、Ni或其組合。