[發明專利]T型分支波導

無效

• 申請號: 201110129324.1
• 申請日: 2011-05-18
• 公開（公告）號: CN102789024A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 王曦;楊志峰;武愛民;甘甫烷;林旭林;李浩
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G02B6/125
• 分類號: G02B6/125;G02B6/122
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種T型分支波導，其特征在于：所述T型分支波導包括SOI襯底、在SOI襯底的頂層硅(103)上刻蝕形成的呈長方晶格排列的硅柱區域(210)以及將硅柱區域與外部器件連接的SOI條形波導(202)；所述硅柱區域內的硅柱深度h等于SOI頂層硅(103)的厚度，所述SOI條形波導位于呈長方晶格排列的硅柱區域的長邊或短邊；所述SOI襯底(100)包括襯底硅層(101)、位于襯底硅層(101)上的二氧化硅埋層(102)以及位于該二氧化硅埋層(102)上的頂層硅(103)。

2.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述SOI條形波導沿長方晶格短邊方向的任意角度輸入。

3.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述SOI條形波導沿長方晶格的長邊方向的任意角度輸入。

4.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述SOI條形波導的高度與硅柱的深度相等。

5.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述長方晶格排列的長邊長度b與短邊長度a的比值β范圍為：2≤β≤2.5。

6.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述硅柱的半徑r的范圍為：0.3a≤r≤0.5a，其中，a為長方晶格排列的短邊長度a。

7.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述硅柱的深度h的范圍為：1.5a≤h≤3a，其中，a為長方晶格排列的短邊長度a。

8.根據權利要求5或6或7所述的T型分支波導，其特征在于，所述硅柱長方晶格排列的短邊長度a為400nm，所述硅柱的深度h為800nm，半徑r為0.39a，所述長方晶格排列的長邊長度b與短邊長度a的比值β為2.4。

9.根據權利要求8所述的T型分支波導，其特征在于，所述SOI條形波導的寬度至少為a，其中，a為長方晶格排列的短邊長度a。

10.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述硅柱通過電子束曝光、電感耦合等離子體工藝刻蝕或FIB刻蝕形成。

11.根據權利要求1所述的T型分支波導，其特征在于，所述T型分支波導還包括兩輸出波導，分別位于硅柱區域的兩側，并沿長方晶格排列的短邊方向輸出。

12.根據權利要求11所述的T型分支波導，其特征在于，所述輸出波導的寬度至少為b，其中，，b為長方晶格排列的長邊長度。