[發(fā)明專(zhuān)利]疊置P+-P結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110129276.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102208456A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-10-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王穎;李婷;曹菲;邵雷;劉云濤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 哈爾濱工程大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/872 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 疊置 sup 結(jié)勢(shì)壘 控制 肖特基 二極管 | ||
1.一種疊置P+-P結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管,包括N+襯底區(qū)100)、N型漂移區(qū)(101)、疊置P+-P結(jié)構(gòu)P+部分(102)、陽(yáng)極電極(104)、陰極電極(105)、二氧化硅層106)、肖特基接觸(107)、歐姆接觸108),其特征是:還包括疊置P+-P結(jié)構(gòu)P部分(103),疊置P+-P結(jié)構(gòu)P+窗口部分(102)在疊置P+-P結(jié)構(gòu)P窗口部分(103)上面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊置P+-P結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管,其特征是:所述疊置P+-P結(jié)構(gòu)P+部分(102)窗口寬度比疊置P+-P結(jié)構(gòu)P部分(103)窗口寬度寬。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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