[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110126276.0
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN102244005A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 林訓;金大煥
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/26;H01L29/417
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用于制造氧化物薄膜晶體管(TFT)的方法，該方法包括：

在基板上形成柵極；

在其上形成有柵極的所述基板上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成由氧化物半導體制成的有源層；

在其上形成有有源層的所述基板上形成接觸層，并且在所述接觸層上形成源極和漏極，該源極和漏極經由所述接觸層而與所述有源層的源極和漏極區域電連接；

在其上形成有源極和漏極的所述基板上形成保護層；

通過去除所述保護層以暴露出所述漏極來形成接觸孔；以及

形成經由所述接觸孔與所述漏極電連接的像素電極，

其中所述接觸層由氧化物制成以根據功函數的不同來調節閾電壓，所述氧化物包括與所述源極和漏極不同的導電性或者金屬。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述有源層由非晶態氧化鋅半導體制成。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述接觸層是通過濺射形成的。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在其上形成有有源層的所述基板上，形成由絕緣材料制成的蝕刻阻擋層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述源極和漏極由具有低電阻的銅、鉬或者鉬合金制成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述接觸層由與用作源極和漏極的材料不同的金屬制成，如鋁、金、鉬、銅、鈦或者鎳。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述接觸層由具有導電性的氧化物制成，如氧化銦鎵鋅、氧化鋅錫、氧化銦錫、或者氧化鋅銦。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述源極和漏極形成為具有范圍從至的厚度，并且所述接觸層形成為具有范圍從至的厚度。

9.一種氧化物薄膜晶體管(TFT)，包括：

在基板上形成的柵極；

在其上形成有柵極的所述基板上形成的柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成的由氧化物半導體制成的有源層；

在其上形成有有源層的所述基板上形成的接觸層；

在其上形成有接觸層的所述基板上形成的、并且與所述有源層的源極和漏極區域電連接的源極和漏極；

在其上形成有源極和漏極的所述基板上形成的保護層；

通過去除所述保護層以暴露出所述漏極而形成的接觸孔；以及

經由所述接觸孔與所述漏極電連接的像素電極，

其中所述接觸層由氧化物制成，以根據功函數的不同來調節閾電壓，所述氧化物包括與所述源極和漏極不同的導電性或者金屬。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述有源層由非晶態氧化鋅半導體制成。

11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，還包括：

在其上形成有有源層的所述基板上形成的由絕緣材料制成的蝕刻阻擋層。

12.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述源極和漏極由具有低電阻的銅、鉬或者鉬合金制成。

13.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述接觸層由與用作源極和漏極的材料不同的金屬制成，如鋁、金、鉬、銅、鈦或者鎳。

14.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述接觸層由具有導電性的氧化物制成，如氧化銦鎵鋅、氧化鋅錫、氧化銦錫、或者氧化鋅銦。

15.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述接觸層由具有導電性的聚合物或者摻雜的有機材料制成。