[發明專利]一種復晶電容器的制作方法與結構

無效

• 申請號: 201110125145.0
• 申請日: 2011-05-16
• 公開（公告）號: CN102789963A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 顏歡
• 申請（專利權）人: 吳江華誠復合材料科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/92
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種用于制造溝渠電容器的方法，尤其是一種用于制造溝渠電容器的方法。

背景技術

本發明提供一種復晶電容器的制作方法與結構。首先，提供一基底，其上具有至少一預定的電容器區域，且基底包含有復數個第一層金屬導線，一第一內金屬介電層系覆蓋第一層金屬導線，以及復數個第一導體插塞系貫穿第一內金屬介電層以分別與該復數個第一層金屬導線電連接。然后，于第一內金屬介電層表面上定義形成復數個第二層復晶矽導線，使復數個第二層復晶矽導線分別位于復數個第一導體插塞頂部，其中位于電容器區域內之第二層復晶矽導線系用作為一復晶矽下電極板。接著，于第一內金屬介電層與復數個第二層復晶矽導線之曝露表面上形成一電容介電層。隨后，于電容介電層表面上定義形成一復晶矽上電極板，使復晶矽上電極板位于電容器區域內且位于復晶矽下電極板上方。如此，即形成了復晶電容器。

發明內容

針對上述問題，本發明提供一種用于制造溝渠電容器的方法。

本發明提供一種復晶電容器的制作方法與結構。首先，提供一基底，其上具有至少一預定的電容器區域，且基底包含有復數個第一層金屬導線，一第一內金屬介電層系覆蓋第一層金屬導線，以及復數個第一導體插塞系貫穿第一內金屬介電層以分別與該復數個第一層金屬導線電連接。然后，于第一內金屬介電層表面上定義形成復數個第二層復晶矽導線，使復數個第二層復晶矽導線分別位于復數個第一導體插塞頂部，其中位于電容器區域內之第二層復晶矽導線系用作為一復晶矽下電極板。接著，于第一內金屬介電層與復數個第二層復晶矽導線之曝露表面上形成一電容介電層。隨后，于電容介電層表面上定義形成一復晶矽上電極板，使復晶矽上電極板位于電容器區域內且位于復晶矽下電極板上方。如此，即形成了復晶電容器。

具體實施方式

本發明提供一種復晶電容器的制作方法與結構。首先，提供一基底，其上具有至少一預定的電容器區域，且基底包含有復數個第一層金屬導線，一第一內金屬介電層系覆蓋第一層金屬導線，以及復數個第一導體插塞系貫穿第一內金屬介電層以分別與該復數個第一層金屬導線電連接。然后，于第一內金屬介電層表面上定義形成復數個第二層復晶矽導線，使復數個第二層復晶矽導線分別位于復數個第一導體插塞頂部，其中位于電容器區域內之第二層復晶矽導線系用作為一復晶矽下電極板。接著，于第一內金屬介電層與復數個第二層復晶矽導線之曝露表面上形成一電容介電層。隨后，于電容介電層表面上定義形成一復晶矽上電極板，使復晶矽上電極板位于電容器區域內且位于復晶矽下電極板上方。如此，即形成了復晶電容器。

一種復晶電容器的制作方法，其至少包括下列步驟：提供一基底，其上具有至少一預定的電容器區域，且該基底包含有復數個第一層金屬導線，一第一內金屬介電層系覆蓋該復數個第一層金屬導線，以及復數個第一導體插塞系貫穿該第一內金屬介電層以分別與該復數個第一層金屬導線電連接；于該第一內金屬介電層表面上定義形成復數個第二層復晶矽導線，該復數個第二層復晶矽導線系分別位于該復數個第一導體插塞頂部，其中位于該電容器區域內之該第二層復晶矽導線系用作為一復晶矽下電極板；于該第一內金屬介電層與該復數個第二層復晶矽導線之曝露表面上形成一電容介電層；以及于該電容介電層表面上定義形成一復晶矽上電極板，該復晶矽上電極板系位于該電容器區域內且位于該復晶矽下電極板上方，其中該電容介電層的制作方法至少包括下列步驟：于該第一內金屬介電層與該復數個第二層復晶矽導線之曝露表面上形成一絕緣層；于該絕緣層表面上形成一第二內金屬介電層；以及對該第二內金屬介電層施以平坦化處理，直至曝露出位于該第二層復晶矽導線頂部之絕緣層，則該絕緣層系用作為該復晶電容器之介電層。