[發明專利]一種在半導體器件中提高氮化硅薄膜拉應力的方法無效
| 申請號： | 201110123697.8 | 申請日： | 2011-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN102412201A | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發明（設計）人： | 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 提高 氮化 薄膜 應力 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在半導體器件中提高氮化硅薄膜拉應力的方法，其特征在于，包括：
在淀積氮化硅薄膜過程中在氮化硅薄膜中加入一定量的有機成孔劑；
利用紫外光對氮化硅薄膜進行照射，由于有機成孔劑的揮發，使得薄膜的收縮增加。
2.根據權利要求1所述的提高碳化硅薄膜拉應力的方法，其特征在于，所述有機成孔劑為阿爾法-松油烯。
3.根據權利要求1所述的提高碳化硅薄膜拉應力的方法，其特征在于，所述有機成孔劑為降冰片二烯。
4.根據權利要求1所述的提高碳化硅薄膜拉應力的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜中的部分Si-H/N-H鍵在獲得能量后會斷裂收縮，并且由于所述有機成孔劑的揮發，使得所述氮化硅薄膜的收縮增加。
5.根據權利要求1所述的提高碳化硅薄膜拉應力的方法，其特征在于，所述半導體器件為CMOS器件，所述方法增加了所述氮化硅薄膜的拉伸應力，從而提高了所述CMOS器件的驅動性能。
6.根據權利要求1所述的提高碳化硅薄膜拉應力的方法，其特征在于，所述CMOS器件為NMOS器件。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
