[發(fā)明專利]一種氬弧焊引弧電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110123223.3
• 申請日: 2011-05-13
• 公開（公告）號: CN102179596A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張宇;應(yīng)杰;王新軍;張引
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州恒湖科技有限公司
• 主分類號: B23K9/067
• 分類號: B23K9/067;B23K9/16
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 徐關(guān)壽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種引弧電路，尤其涉及一種氬弧焊引弧電路。

背景技術(shù)

氬弧焊技術(shù)是在普通電弧焊的原理的基礎(chǔ)上，利用氬氣對金屬焊材的保護(hù)，通過高電流使焊材在被焊基材上融化成液態(tài)形成溶池，使被焊金屬和焊材達(dá)到冶金結(jié)合的一種焊接技術(shù)，由于在高溫熔融焊接中不斷送上氬氣，使焊材不能和空氣中的氧氣接觸，從而防止了焊材的氧化，因此可以焊接銅、鋁、合金鋼等有色金屬。

TIG焊電源作為有色金屬和不銹鋼的主要焊接設(shè)備，有著焊接過程穩(wěn)定、收弧控制容易的優(yōu)點。而長期困擾TIG焊電源發(fā)展的瓶頸之一就是引弧問題。引弧性能的好壞直接影響到焊接過程能否順利進(jìn)行。

TIG焊引弧方式一般分為接觸式引弧和非接觸式引弧兩大類。傳統(tǒng)的手工劃弧的接觸式引弧方式容易造成鎢極的燒損、工件表面擦傷以及焊縫夾鎢等現(xiàn)象，一般不宜采用。

目前TIG?焊中廣泛應(yīng)用的是非接觸式引弧方式，非接觸式引弧包括高壓脈沖引弧和高頻高壓引弧。高壓脈沖引弧可擊穿的空氣間隙較小,?引弧效果差。

高頻引弧器主要有兩種方式：

1）如附圖1所示的傳統(tǒng)的工頻高頻震蕩器，是一個高頻高壓發(fā)生器,?將它接入電源網(wǎng)絡(luò)后,?可使工頻電變換成高頻高壓交流電，通過火花塞放電，串接在焊接回路中借以擊穿鎢極與工件之間的間隙而引燃焊接或切割電弧。

2）如附圖2所示的高頻諧振引弧器，由可控的多諧振振蕩器提供一定的占空比和頻率，驅(qū)動功率器件，經(jīng)升壓比高的高頻變壓器二次側(cè)輸出高壓，經(jīng)過火花塞放電釋放能量，實現(xiàn)高頻引弧。

高頻震蕩器引弧的缺點是電磁兼容性差，容易干擾控制系統(tǒng)。火花塞間隙大小直接影響引弧效果，引弧效果一致性差。容易擊穿焊接電源和焊接回路中的其它電氣元件，干擾無線電接收或其它電子儀器的正常工作，有害人體健康。容易受環(huán)境濕度影響，若粉塵堆積在火花塞上，將嚴(yán)重影響引弧效果，甚至不能引弧。

一種電磁兼容性好，安全，可靠性高的引弧方式勢在必行。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)的氬弧焊引弧電路容易擊穿焊接電源和焊接回路中的其它電氣元件，引弧效果容易受環(huán)境影響的缺陷，本發(fā)明提供一種不會擊穿焊接電源和焊接回路中的其它電氣元件，引弧一致性和穩(wěn)定性較好的氬弧焊引弧電路。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案：

一種氬弧焊引弧電路，包括高頻升壓變壓器T1、高頻耦合器T2，所述的高頻升壓變壓器T1的次級（T1-3端與T1-4端之間）與高頻耦合器T2的初級（T2-1端與T2-2端之間）之間連接有整流濾波電路與高壓放電回路，所述的高壓放電回路包括可控硅V2、可控硅觸發(fā)電路，可控硅保護(hù)電路。由可控硅觸發(fā)電路控制可控硅的通斷代替原有的火花塞提供高頻耦合器T2的初級電流通路，使高頻耦合器T2的初級電壓比較穩(wěn)定，增強了起弧的一致性和穩(wěn)定性，大大降低了對主電路的干擾。同時，也避免了火花塞方式的引弧效果一致性差，粉塵堆積導(dǎo)致不易起弧等問題。

作為優(yōu)選，所述的高頻升壓變壓器T1的初級（T1-1端與T1-2端之間）通過繼電器回路與工頻交流電連接。繼電器回路根據(jù)使能信號斷開和導(dǎo)通，為高頻升壓變壓器T1的初級提供電源。

作為優(yōu)選，所述的可控硅觸發(fā)電路包括串聯(lián)連接的第二電阻R2、第一雙向二極管V1、第三電阻R3、壓敏電阻Rs，所述的可控硅V2的負(fù)極與觸發(fā)極連接在第二電阻R2的兩端，可控硅V2的正極與壓敏電阻Rs的另一端相連接。當(dāng)電壓達(dá)到壓敏電阻Rs的擊穿電壓時，壓敏電阻Rs擊穿，可控硅V2導(dǎo)通，高頻耦合器T2得到穩(wěn)定的初級電壓，經(jīng)高頻耦合器T2升壓，可引燃電弧。

作為優(yōu)選，所述的可控硅保護(hù)電路包括串聯(lián)連接的第四電容C4、第四電阻R4、第一電感L1，第四電容C4的另一端與可控硅V2的負(fù)極連接，第一電感L1的另一端連接在第三電阻R3與壓敏電阻Rs之間。可控硅保護(hù)電路可吸收可控硅V2尖峰，保護(hù)可控硅V2。?????作為優(yōu)選，所述的整流濾波電路包括由第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第四二極管D4組成的全波整流橋，所述的全波整流橋的輸出端分別與可控硅V2的正、負(fù)極連接，所述的第三電容C3連接在高頻升壓變壓器T1的T1-1端與T1-4端之間。整流濾波電路為高壓放電回路提供需要的電壓和電流。