[發明專利]一種生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法及應用

有效

• 申請號: 201110122983.2
• 申請日: 2011-05-13
• 公開（公告）號: CN102199758A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 陳新亮;王婓;耿新華;張德坤;魏長春;張曉丹;趙穎
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/08;C23C14/35;H01L31/0224
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：以玻璃襯底為基片，以純度99.995%的Zn-Al合金靶為靶材原料，濺射氣體為Ar氣，濺射過程中引入氧氣且在濺射鍍膜周期中氧氣流量呈梯度變化，利用磁控濺射鍍膜技術制備絨面結構ZnO-TCO薄膜。

2.根據權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：所述在濺射鍍膜周期中氧氣流量呈梯度變化包括初始階段、中間階段和后期階段，初始階段的氧氣流量為較大流量即12.0-50sccm，初始階段的鍍膜周期次數占總鍍膜周期次數的0-20%；中間階段的氧氣流量為適中流量即10.0-12.0sccm，中間階段的鍍膜周期次數占總鍍膜周期次數的30-40%；后期階段的氧氣流量為正常流量即8.0-10.0sccm，后期階段的鍍膜周期次數占總鍍膜周期次數的40-60%。

3.根據權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：所述Zn-Al合金靶中靶材組分Al的重量百分含量為0.5-2.0%。

4.根據權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：所述玻璃襯底溫度為室溫-350℃。

5.根據權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：所述濺射氣體Ar氣的濺射氣壓為2.0-6.0mTorr。

6.根據權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：所述絨面結構ZnO-TCO薄膜厚度為700-2500nm，絨面結構粗糙度RMS值為30-150nm。

7.根據權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的方法，其特征在于：所述磁控濺射鍍膜中濺射功率密度為0.2-2.0W/cm²。

8.一種如權利要求1所述生長絨面結構ZnO-TCO薄膜的應用，其特征在于：應用于非晶硅薄膜太陽電池或非晶硅/微晶硅薄膜太陽電池。