[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110122884.4
• 申請日: 2011-05-05
• 公開（公告）號: CN102280445A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹圭湜;崔埈厚;崔寶京;文相皓
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

1.一種顯示裝置，包括：

基板；

半導(dǎo)體層，形成在基板上；

有機絕緣層，形成在半導(dǎo)體層上，有機絕緣層具有開口槽；

多條導(dǎo)線，形成在有機絕緣層上，所述開口槽形成在所述多條導(dǎo)線之間。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述多條導(dǎo)線彼此分開地設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

柵極絕緣層，形成在半導(dǎo)體層上；

柵極電極，形成在柵極絕緣層上。

4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括設(shè)置在有機絕緣層和柵極電極之間的無機絕緣層。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，無機絕緣層具有開口槽，有機絕緣層的開口槽和無機絕緣層的開口槽一起排列以暴露柵極絕緣層或柵極電極。

6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，無機絕緣層包括含有氫的氮化硅膜。

7.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

像素電極，形成在柵極絕緣層上，像素電極結(jié)合到半導(dǎo)體層的漏極區(qū)；

有機發(fā)射層，形成在像素電極上；

共電極，形成在有機發(fā)射層上。

8.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

像素電極，形成在柵極絕緣層上，像素電極結(jié)合到半導(dǎo)體層的漏極區(qū)；

液晶層，形成在像素電極上；

共電極，形成在液晶層上。

9.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，柵極電極形成為包括柵極透明層和形成在柵極透明層上的柵極金屬層的雙層結(jié)構(gòu)，像素電極由與柵極電極的柵極透明層的材料相同的材料形成在與柵極透明層相同的高度。

10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，半導(dǎo)體層是通過圖案化多晶硅層形成的。

11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述多條導(dǎo)線中的一條導(dǎo)線為連接到半導(dǎo)體層的源極區(qū)的源極電極，所述多條導(dǎo)線中的另一條導(dǎo)線為連接到半導(dǎo)體層的漏極區(qū)的漏極電極。

12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

第一電容器電極，形成在基板上，第一電容器電極與半導(dǎo)體層處于基本相同的高度；

第二電容器電極，形成在柵極絕緣層上，第二電容器電極與源極電極和漏極電極處于基本相同的高度。

13.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

準(zhǔn)備基板；

在基板上形成半導(dǎo)體層；

在半導(dǎo)體層上形成有機絕緣層；

在有機絕緣層上形成開口槽；

在有機絕緣層上形成多條導(dǎo)線，所述多條導(dǎo)線彼此分開地設(shè)置，所述開口槽形成在所述多條導(dǎo)線之間。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成柵極電極，所述有機絕緣層被形成在柵極電極上。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述多條導(dǎo)線包括源極電極和漏極電極。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在基板上在與半導(dǎo)體層基本相同的高度形成第一電容器電極，所述多條導(dǎo)線包括形成在與源極電極和漏極電極基本相同的高度處的第二電容器電極。

17.如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括在柵極電極和有機絕緣層之間形成無機絕緣層的步驟。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，在有機絕緣層上形成開口槽的步驟還包括以下步驟：

在有機絕緣層、無機絕緣層和柵極絕緣層的每層上形成接觸孔，有機絕緣層的接觸孔、無機絕緣層的接觸孔和柵極絕緣層的接觸孔一起排列以暴露半導(dǎo)體層的一部分。