[發明專利]一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法

有效

• 申請號: 201110122833.1
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN102259100A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 吳常明;張斌;王衛東;閆曉輝;馬彥;譚克林
• 申請（專利權）人: 陜西建工集團設備安裝工程有限公司
• 主分類號: B08B3/00
• 分類號: B08B3/00;B08B9/032
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

技術領域

本發明屬于工業設備及管道清洗技術領域，尤其是涉及一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法。

背景技術

隨著社會的發展進步，人類對能源的關注度越來越高，作為新能源的基石材料，多晶硅的需求量特別是電子級多晶硅的需求量也日益增大。多晶硅是制造硅拋光片、太陽能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產業和新能源產業最基礎的原材料。作為多晶硅產品中純度最高的電子級多晶硅(純度為11個9，即其純度為99.999999999％)的生產工藝僅為世界上有限的幾個發達國家所掌握。電子級多晶硅的生產工藝要求原料要在“無油、無水、無塵”的環境下運行。目前，國內尚無專業性、針對性的規范、標準可供參考。

目前，國內工業設備及管道的清洗大多采用酸洗、鈍化方式，藥劑選用無機酸，且通過無機酸與被清洗金屬表面的氧化物反應并生成溶于水的鹽；再利用NaOH、Na₃PO₃等堿性鹽和被清洗金屬反應，以在金屬表面生產致密鈍化層。上述常規清洗方法的特點是反應速度快、條件簡單，但所存在的缺點是容易造成過腐蝕，使得母材的有效壁厚減薄，同時鈍化膜表面易殘留Na離子、P離子等。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，提供一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法，其設計合理、清洗方法步驟簡單、操作簡便且實現方便、清洗效果好，不會形成過腐蝕及氫脆，能有效解決現有清洗方法存在的易造成過腐蝕、鈍化膜表面易殘留Na離子、P離子等問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

步驟一、脫脂清洗：采用金屬脫脂清洗劑且按金屬設備與金屬管道的常規脫脂清洗方法，對被清洗金屬物件進行脫脂清洗；所述被清洗金屬物件為多晶硅生產設備或多晶硅工藝管道；

步驟二、脫脂后水沖洗：采用自來水對被清洗金屬物件進行沖洗；

步驟三、絡合除銹：采用絡合清洗劑對被清洗金屬物件進行除銹清洗；

步驟四、漂洗：采用漂洗劑對被清洗金屬物件進行漂洗；

步驟五、氨塞沖洗：采用氨水溶液且在55℃～60℃溫度條件下，對被清洗金屬物件進行沖洗；

步驟六、鈍化處理：采用雙氧水溶液且在80℃～90℃溫度條件下，對被清洗金屬物件進行鈍化處理；

步驟七、超純水沖洗：用電阻率不大于12MΩ·cm的超純水，對被清洗金屬物件進行沖洗；

步驟八、干燥處理：采用壓縮空氣干燥設備且按常規壓縮空氣干燥處理方法，對被清洗金屬物件進行干燥處理；

步驟九、包封：對經干燥處理且質量檢查合格后的被清洗金屬物件，進行封口保護。

上述一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法，其特征是：步驟一中所述的對被清洗金屬物件進行脫脂清洗時，其脫脂清洗過程如下：

101、粗脫脂清洗：常溫狀態下，采用三氯乙烯清洗劑對被清洗金屬物件進行清洗，且清洗時間為2小時～3小時；

102、熱風干燥：粗脫脂清洗結束后，采用熱風烘干設備，將被清洗金屬物件吹干；

103、精脫脂清洗：采用脂肪醇聚氧乙烯醚溶液且在40℃～50℃溫度條件下，對經粗脫脂清洗后的被清洗金屬物件進行清洗，清洗時間為3小時～5小時。

上述一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法，其特征是：步驟102中所述熱風烘干設備所提供熱風的溫度為40℃～50℃；步驟102中所述的將被清洗金屬物件吹干后，還需采用吸油濾紙對被清洗金屬物件內表面是否存在油污進行檢測：當檢測得出被清洗金屬物件的內表面無油污時，則進入步驟103；否則，轉入步驟101，對被清洗金屬物件重復進行粗脫脂清洗。

上述一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法，其特征是：步驟103中所述的對經粗脫脂清洗后的被清洗金屬物件進行清洗過程中，將所述脂肪醇聚氧乙烯醚溶液的pH值控制在9～11之間。

上述一種電子級多晶硅生產設備及工藝管道的清洗方法，其特征是：步驟二中所述的采用自來水對被清洗金屬物件進行沖洗時，用自來水對被清洗金屬物件內部進行徹底沖洗，且沖洗結束后，用紫外燈照射被清洗金屬物件的內表面：當被清洗金屬物件的內表面呈現紫光時，則進入步驟三；否則，用自來水對被清洗金屬物件內部繼續進行沖洗。