[發明專利]高熱流密度條件下陣列射流、沸騰冷卻耦合換熱方法

有效

• 申請號: 201110122114.X
• 申請日: 2011-05-12
• 公開（公告）號: CN102271485A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 宣益民;李強;鐵鵬
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 唐代盛

1.一種高熱流密度條件下陣列射流、沸騰冷卻耦合換熱方法，其特征在于將單相陣列射流沖擊冷卻和沸騰換熱結合，利用冷卻液的蒸發潛熱移除電子器件的熱量，即選取沸點在-20℃-30℃的冷卻液，通過控制工質壓力在-0.5bar-10bar，獲得所需范圍內的沸點溫度，將冷卻液泵送至陣列射流沖擊裝置，通過射流孔射流在換熱表面上，同時控制冷卻液的溫度和壓力，使冷卻液在射流換熱后部分發生相變，利用冷卻液的汽化潛熱散熱，換熱后殘余液體以及汽化的氣體在壓差作用下排除，完成整個陣列射流、沸騰冷卻耦合換熱過程。

2.根據權利要求1所述的高熱流密度條件下陣列射流、沸騰冷卻耦合換熱方法，其特征在于根據公式估算冷卻液流量范圍。

3.根據權利要求1所述的高熱流密度條件下陣列射流、沸騰冷卻耦合換熱方法，其特征在于在單相陣列射流沖擊裝置的射流孔板上開設射流孔，相鄰射流孔間距S和射流孔直徑D比值范圍3.5-7，射流孔直徑范圍為0.5mm-2.5mm。

4.根據權利要求1所述的高熱流密度條件下陣列射流、沸騰冷卻耦合換熱方法，其特征在于在單相陣列射流沖擊裝置的換熱表面上刻槽，刻槽的槽深h選值為0.5mm-1.5mm，槽寬d選值為0.5mm-1.0mm，槽間距選值為0.5mm-1.5mm。