[發明專利]氧化鈦復合物的制備方法以及摻有該復合物的光電轉換裝置

無效

• 申請號: 201110120145.1
• 申請日: 2011-05-06
• 公開（公告）號: CN102254705A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 清水圭輔;檟修;中山有理;福島和明
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01G9/042
• 分類號: H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 肖善強

1.一種用于制備氧化鈦復合物的方法，所述方法包括如下步驟：

準備氧化鈦納米線；

將所述氧化鈦納米線浸漬在含有硫酸氧鈦和脲的溶液中，從而在所述氧化鈦納米線的表面上形成氧化鈦微粒；

回收在表面上形成了所述氧化鈦微粒的所述氧化鈦納米線。

2.如權利要求1的用于制備氧化鈦復合物的方法，其中，所述氧化鈦納米線具有不小于50nm、不大于110nm的直徑。

3.如權利要求1的用于制備氧化鈦復合物的方法，其中，所述氧化鈦微粒具有不小于5nm、不大于150nm的直徑。

4.如權利要求1的用于制備氧化鈦復合物的方法，其中，所述氧化鈦納米線是銳鈦礦型的單晶納米線。

5.如權利要求1的用于制備氧化鈦復合物的方法，其中，所述氧化鈦微粒是銳鈦礦型的氧化鈦微粒。

6.如權利要求1的用于制備氧化鈦復合物的方法，其中，將所述氧化鈦納米線浸漬在含有硫酸氧鈦和脲的溶液中從而在所述氧化鈦納米線的表面上形成氧化鈦微粒的步驟在加熱條件下進行。

7.一種氧化鈦復合物，其包含氧化鈦納米線和形成在所述氧化鈦納米線表面上的氧化鈦微粒，其中所述氧化鈦納米線具有不小于50nm、不大于110nm的直徑。

8.如權利要求7的氧化鈦納米線，其中，所述氧化鈦微粒具有不小于5nm、不大于150nm的直徑。

9.一種光電轉換裝置，其包含

工作電極，其上設置有由氧化鈦復合物形成的半導體層，所述氧化鈦復合物包含氧化鈦納米線和形成在所述氧化鈦納米線表面上的氧化鈦微粒，其中所述氧化鈦納米線具有不小于50nm、不大于110nm的直徑；

對電極，其與所述工作電極相對布置；和

置于所述工作電極和所述對電極之間的電解質層，

其中所述氧化鈦復合物具有擔載在所述氧化鈦納米線和所述氧化鈦微粒的表面上的染料。