[發(fā)明專利]非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110119707.0 | 申請日： | 2011-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN102212825A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 錢昆;程曉文 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州開元民生科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/32 | 分類號： | C23F1/32;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 王玉國;陳忠輝 |
| 地址： | 215021 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 添加 劑型 單晶硅 片緩釋 蝕刻 制備 方法 | ||
1.非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
①將純水、堿和表面緩蝕劑加入反應(yīng)器中，攪拌使其溶解，所述堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀，所述表面緩蝕劑為硅酸鈉或硅酸鉀；
②加入羧酸，攪拌使其溶解，所述羧酸為5～8碳的羧酸；
③加入熱純水，攪拌。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法，其特征在于：步驟①中，純水與堿和表面緩蝕劑的重量比為(5～7)∶(1.5～1.8)∶(0.9～1.1)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法，其特征在于：步驟①中，所述攪拌的速度為1000±100r/min，攪拌時間為10～30min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法，其特征在于：步驟②中，羧酸與純水、堿和表面緩蝕劑的重量比為(1.1～1.5)∶(5～7)∶(1.5～1.8)∶(0.9～1.1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法，其特征在于：步驟②中，所述攪拌的速度為1000±100r/min，攪拌時間為10～30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非添加劑型單晶硅片緩釋蝕刻液的制備方法，其特征在于：步驟③中，所述熱純水的溫度為20～40℃，熱純水與羧酸、純水、堿和表面緩蝕劑的重量比為(8～10)∶(1.1～1.5)∶(5～7)∶(1.5～1.8)∶(0.9～1.1)，攪拌的速度為1000±100r/min，攪拌時間為20～30min。
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