[發明專利]發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201110117114.0
• 申請日: 2011-05-06
• 公開（公告）號: CN102185068A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 肖德元;王津洲
• 申請（專利權）人: 西安神光安瑞光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種發光二極管，其特征在于，包括第一導電半導體層，覆蓋所述第一導電半導體層的有源層，覆蓋所述有源層的第二導電半導體層，所述第一導電半導體層鄰近所述有源層的一側表面形成有多個凸起，所述第一導電半導體層與所述第二導電半導體層具有相反摻雜類型。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括襯底和設置于所述第一導電半導體層與所述襯底之間的緩沖層。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括覆蓋所述第二導電半導體層的接觸層。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一導電半導體層為N型摻雜氮化鎵層或者N型摻雜氮化鋁鎵層，所述第二導電半導體層為P型摻雜氮化鎵層或者P型摻雜氮化鋁鎵層。

5.如權利要求1到4中任意一項所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起的側面與所述第一導電半導體層的垂直方向的夾角范圍是0到45度。

6.如權利要求1到4中任意一項所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起為柱形凸起。

7.如權利要求1到4中任意一項所述的發光二極管，其特征在于，所述有源層為單一量子阱結構或多層量子阱結構。

8.如權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，所述量子阱結構包含兩種或兩種以上不同能帶隙的異質結構。

9.如權利要求1到4中任意一項所述的發光二極管，其特征在于，所述有源層包括層疊設置的氮化銦鎵層和氮化鎵層。

10.如權利要求9所述的發光二極管，其特征在于，所述有源層中的氮化銦鎵層的厚度為2納米，所述氮化鎵層的厚度為10納米。

11.如權利要求1到4中任意一項所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起之間的距離范圍是200納米到500納米，所述凸起的高度范圍是200納米到1000納米。

12.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底，在所述襯底一側形成第一導電半導體層；

刻蝕所述第一導電半導體層，使所述第一導電半導體層的表面形成多個凸起；

形成有源層，所述有源層覆蓋所述第一導電半導體層具有凸起一側的表面；

在所述有源層表面覆蓋第二導電半導體層，所述第二導電半導體層與所述第一導電半導體層具有相反摻雜類型。

13.如權利要求12所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，所述第一導電半導體層為N型摻雜氮化鎵層或者N型摻雜氮化鋁鎵層，所述第二導電半導體層為P型摻雜氮化鎵層或者P型摻雜氮化鋁鎵層。

14.如權利要求12所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，形成所述第一導電半導體層前，在所述襯底上形成緩沖層，所述第一導電半導體層覆蓋所述緩沖層。

15.如權利要求12所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，在所述有源層表面覆蓋第二導電半導體層后，在所述第二導電半導體層的表面形成接觸層。

16.如權利要求15所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，刻蝕所述接觸層、第二導電半導體層和有源層，使所述第一導電半導體層的部分表面暴露，在所述第一導電半導體層暴露的表面形成所述發光二極管的負電極。

17.如權利要求12所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，采用無掩膜感應耦合等離子反應刻蝕的方式刻蝕所述第一導電半導體層。

18.如權利要求12到17中任意一項所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，所述凸起的側面與所述第一導電半導體層的垂直方向的夾角范圍是0到45度。

19.如權利要求12到17中任意一項所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，所述凸起為柱形凸起。

20.如權利要求12到17中任意一項所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，所述有源層為單一量子阱結構或多層量子阱結構。

21.如權利要求20所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，所述量子阱結構包含兩種或兩種以上不同能帶隙的異質結構。