[發明專利]平板顯示器設備及其制造方法無效
| 申請號: | 201110115926.1 | 申請日: | 2004-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN102222683A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 具在本;李乙浩 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平板 顯示器 設備 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有源矩陣型平板顯示器設備,特別是涉及一種能夠減少或防止壓降、具有被電連接的一陰極母線和一陰極電極的頂部發射有機發光設備(OLED),以其制造方法。
背景技術
一般地,有機發光設備是基于從有機發射層發射的光的方向可以被分為底部發射結構型和頂部發射結構型的發射顯示器設備。頂部發射有機發光設備以與安裝像素的襯底的相反方向發射光,并且當與以安裝像素的襯底的方向發射光的底部發射結構相比較時可以增加孔徑比。
向襯底發射光用于在頂部發射結構中密封,從而透射電極用來作陰極電極。透射傳導層,例如ITO或IZO,用來作透射電極。然而,透射傳導層可以具有一較高功函數,從而很難用它作為陰極電極。
為了應付這個問題,在有機發射層上淀積具有較低功函數的薄金屬用于陰極電極從而形成半透射金屬層。然后在半透射金屬層上淀積厚透射傳導層從而形成具有堆疊結構的透射電極。
然而,在堆疊結構的陰極電極中,由于淀積透射傳導層,例如ITO或IZO,在有機薄膜層形成后被淀積,低溫淀積工藝最小化由于熱或等離子體而產生的電致發光(EL)層的老化。當在較低溫度淀積ITO或IZO時,膜性質可能變壞并且電阻率可能變高。
陰極電極是一種公用電極,并且相同的電壓應該被施加到安裝在像素部分中的所有像素。然而,由于陰極電極的高電阻率而使壓降(即IR下降)發生。這引起不同電壓水平被施加到根據像素安裝位置的像素。從而,當從外部終端到陰極電極施加陰極電壓時,靠近外部終端安裝的像素和遠離外部終端間隔的像素沒有相同的電壓,這就引起壓降。每像素位置的電壓差異可能引起不均一的亮度和/或圖象質量。
特別地,壓降問題可能在中等和大尺寸的頂部發射有機發光設備中變得更嚴重。韓國專利申請第2002-0057336號揭示了一種在頂部發射結構中利用陰極母線的技術。陰極母線與一外部終端相連并且與一陰極電極接觸,從而陰極電極通過陰極母線與外部終端相連。
使陰極母線和陰極電極相連的方法可以防止關于像素位置的陰極電極的壓降。然而,當在陰極母線和陰極電極間的襯底的整個表面上形成一電荷運輸層時,例如一有機層,陰極母線與陰極電極不能電連接。
發明內容
本發明提供一種在非像素區通過電連接陰極母線和陰極電極能夠實施一電荷運輸層的整個表面淀積的有機發光設備,以及制造該有機發光設備的方法。
本發明還提供一種依靠精細金屬掩模通過淀積電荷運輸層在像素區能夠連接陰極母線與每像素陰極電極的有機發光設備,以及制造該有機發光設備的方法。
本發明還提供一種適合中等和大尺寸有機發光設備的具有用于連接陰極母線與陰極電極結構的有機發光設備,以及制造該有機發光設備的方法。
為達到上述目標,本發明的一方面提供一平板顯示器,包括:具有像素區和非像素區的絕緣襯底;安裝在所述像素區的第一電極;安裝在所述像素區和所述非像素區的第二電極;安裝在所述第一電極和所述第二電極間的有機發射層和電荷運輸層;和安裝在所述絕緣襯底上的電極線。其中所述像素區包括從所述有機發射層發射光的發射區,和非發射區;在所述像素區中的非發射區的一部分中安裝有所述電極線;以及所述電極線和所述第二電極僅在所述像素區中彼此電連接。
另外,本發明提供一種用于制造平板顯示器的方法,包括:提供具有像素區和非像素區的絕緣襯底,其中所述像素區包括從有機發射層發射光的發射區,和非發射區;在所述絕緣襯底的所述像素區形成第一電極;在所述第一電極上形成有機發射層和電荷運輸層;在所述像素區中的非發射區的一部分中形成電極線;以及在所述像素區和所述非像素區中形成第二電極;其中,所述電極線和所述第二電極在所述像素區中彼此電連接。
附圖說明
本發明上述的和其他的特征和優點,通過仔細地描述附圖中的具體實施例將會變得更明顯。
圖1A和1B繪示出根據本發明一實施例的一有機發光設備的平面圖。
圖2繪示出根據本發明一實施例的一有機發光設備的橫截面視圖。
圖3A和3B繪示出根據本發明一實施例的一有機發光設備的平面圖。
圖4繪示出根據本發明一實施例的一有機發光設備的橫截面視圖。
具體實施方式
參考本發明的實施例的附圖在下文中將充分描述本發明。然而,本發明可以不同形式被具體化并且不應該受到這里列出實施例的限制。更合適地,提供這些實施例以便揭示將會徹底和完全,并且將本發明的范圍更充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中,為了清楚層和區的厚度都被夸大了。全部說明書相應數字表示相應的元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





