[發明專利]旁路二極管與薄膜太陽能模塊的單片集成無效
| 申請號: | 201110115904.5 | 申請日: | 2011-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN102237377A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 王秋富;江獲先 | 申請(專利權)人: | 杜邦太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 劉國偉 |
| 地址: | 中國香港新界白石角香港科學園*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 旁路 二極管 薄膜 太陽能 模塊 單片 集成 | ||
1.一種其中以單片方式集成有旁路二極管的太陽能模塊,其包括:
襯底;
多個第一導電層,其形成于所述襯底上;
多個半導體層,其形成于所述第一導電層上,其中所述多個半導體層各自包括p-n結,且其中所述p-n結串聯電連接;
多個第二導電層,其形成于所述半導體層上;
第一觸點和第二觸點,其連接到所述第二導電層中的兩者,其中在所述第一觸點與所述第二觸點之間電耦合的所述p-n結充當太陽能電池串,且所述p-n結的其余部分中的一者充當所述旁路二極管;以及
導體,其以反并聯方式將所述太陽能電池串連接到所述旁路二極管。
2.根據權利要求1所述的太陽能模塊,其進一步包括第三觸點,所述第三觸點電耦合到所述第一導電層,所述第一導電層連接到充當所述旁路二極管的所述p-n結。
3.根據權利要求2所述的太陽能模塊,其中所述第三觸點鄰近于所述第二觸點而形成,且其中所述旁路二極管在所述第二觸點下方。
4.根據權利要求3所述的太陽能模塊,其中導體連接于所述第一觸點與所述第三觸點之間。
5.根據權利要求4所述的太陽能模塊,其中所述第三觸點形成于與所述太陽能模塊中的所述太陽能電池串隔離的邊緣部分上。
6.一種形成其中以單片方式集成有旁路二極管的太陽能模塊的方法,其包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成多個第一導電層;
在所述第一導電層上形成多個半導體層,其中所述多個半導體層各自包括p-n結,
且其中所述p-n結串聯電連接;
在所述半導體層上形成多個第二導電層;
形成連接到所述第二導電層中的兩者的第一觸點和第二觸點,其中在所述第一觸點與所述第二觸點之間電耦合的所述p-n結充當太陽能電池串,且所述p-n結的其余部分中的一者充當所述旁路二極管;以及
提供導體,所述導體以反并聯方式將所述太陽能電池串連接到所述旁路二極管。
7.根據權利要求6所述的方法,其進一步包括形成第三觸點,所述第三觸點電耦合到
所述第一導電層,所述第一導電層連接到充當所述旁路二極管的所述p-n結。
8.根據權利要求7所述的方法,其中鄰近于所述第二觸點而形成所述第三觸點,且其中所述旁路二極管在所述第二觸點下方。
9.根據權利要求8所述的方法,其中在所述第一觸點與所述第三觸點之間連接所述導體。
10.根據權利要求9所述的方法,其中在與所述太陽能模塊中的所述太陽能電池串隔離的邊緣部分上形成所述第三觸點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





