[發(fā)明專利]用以指示存儲器中的編程失敗的信號線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110113612.8
• 申請日: 2014-01-02
• 公開（公告）號: CN204011488U
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 湯梅;孫亮亮;吳曉亮;孫文兵;朱文清
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205
• 代理人: 陸聰明

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及平板顯示與固態(tài)照明領(lǐng)域，涉及一種用絨面層作為發(fā)光器件出光界面的OLED器件。

背景技術(shù)

OLED器件具有主動發(fā)光，抗震性好，視角廣，操作溫度寬，對比度高，可柔性化顯示等特點，是顯示及照明領(lǐng)域最有發(fā)展前途的發(fā)光顯示器件。

有關(guān)OLED性能的改善，已有大量的研究為此做了一定的貢獻(xiàn)，目前為止，OLED的內(nèi)量子效率已經(jīng)接近100%，為了對OLED整體性能有大幅度的提高，外量子效率或者出光率是一個重要的研究方向，而出光率的改善需要考慮到兩方面因素：出光界面處材料的折射率差，以及出光界面的表面組織結(jié)構(gòu)。而折射率主要取決于材料本身的性質(zhì)，相對于改變出光界面表面的組織結(jié)構(gòu)來說較難獲得。可改變OLED出光界面表面組織結(jié)構(gòu)的方法已有相關(guān)報道，比如，臺面結(jié)構(gòu)，球形基質(zhì)，微透鏡陣列，布拉格光柵，波紋結(jié)構(gòu)，絨面結(jié)構(gòu)等等。然而以上這些結(jié)構(gòu)很多是隨機無規(guī)律的表面形貌對OLED的性能改善作用有限，而且這些方法大都需要復(fù)雜的制作過程和較高的制作成本。

實用新型內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實用新型目的在于提供一種用絨面層作為發(fā)光器件出光界面的OLED器件，是一種制作簡易、高效低成本且易于工業(yè)推廣的器件結(jié)構(gòu)。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的方案為：

一種用絨面層作為發(fā)光器件出光界面的OLED器件，包括玻璃基板，在玻璃基板外側(cè)的單晶硅絨面層，在玻璃基板的另一側(cè)的有機層以及透明陽極和全反射陰極。

進(jìn)一步地，所述有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的全部或部分。

進(jìn)一步地，所述的絨面層的絨面形貌為金字塔形狀，單個金字塔形狀的底面邊長和高度均為800nm到50μm之間；金字塔形狀的大小均一，傾斜角40°-54.7°。

進(jìn)一步地，所述的絨面層的厚度，即從平滑表面到另一面金字塔形狀的塔頂距離在10μm和100μm之間。

所述絨面層絨面形貌由<100>晶向P型或N型硅片在堿溶液（NaOH、KOH等）、強堿弱酸鹽（Na₂CO₃、NaHCO₃等）、硅酸鹽、氨水中濕法腐蝕制成，并經(jīng)可固化材料轉(zhuǎn)印而得。可固化材料是對可見光透明的且易于成型固化的材料，如高分子聚合物PVA，PMMA，PDMS，UV膠等。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有如下的實質(zhì)性優(yōu)點：

本實用新型制作工藝簡單易行，制作成本低廉，改善OLED出光性能或外量子效率明顯，不亞于其它部分復(fù)雜的OLED結(jié)構(gòu)。不僅明顯提高了器件的外量子效率或出光率以及電流效率和功率效率，而且改善了此結(jié)構(gòu)用于發(fā)光顯示器件的視角。通過絨面層的加入很好的改善了OLED的器件性能。

附圖說明

圖1為具有本實用新型結(jié)構(gòu)的通用OLED器件示意圖。

圖2為實施例1的綠光OLED器件示意圖。

圖3為實施例2的綠光OLED器件示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型OLED器件做進(jìn)一步的說明。

如圖1所示，一種用絨面層作為發(fā)光器件出光界面的OLED器件，包括玻璃基板，在玻璃基板外側(cè)的單晶硅絨面層，在玻璃基板的另一側(cè)的有機層以及透明陽極和全反射陰極。所述有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的全部或部分。所述的絨面層的絨面形貌為金字塔形狀，單個金字塔形狀的底面邊長和高度均為800nm到50μm之間；金字塔形狀的大小均一，傾斜角40°-54.7°。所述的絨面層的厚度，即從平滑表面到另一面金字塔形狀的塔頂距離在10μm和100μm之間。

實施例1

如圖2所示，制備一種綠光OLED器件，首先清洗帶有ITO陽極形狀的玻璃基板，并依次熱蒸發(fā)沉積薄膜NPB 40nm，Alq₃ 60nm，LiF 0.5nm/Al 100nm。并在器件制備完成后將絨面層貼至器件出光側(cè)玻璃基板上。所述的絨面層的單個金字塔底面邊長為10μm；絨面層金字塔大小均一，傾斜角54°，所述的絨面層的厚度為在15μm。

對于玻璃基板的清洗，應(yīng)先用去污粉洗凈帶有ITO的玻璃基板，去離子水沖洗干凈，分別用丙酮、乙醇和去離子水超聲各15分鐘。并在臭氧環(huán)境下進(jìn)行紫外處理15分鐘。

對于真空蒸鍍要求腔體真空度為5*10^-4Pa，對于器件各層的沉積各層順序分別控制合適的蒸發(fā)速率沉積相應(yīng)的薄膜。