[發(fā)明專利]一種超材料單元結(jié)構(gòu)的繪制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110112010.0
• 申請日: 2011-04-30
• 公開（公告）號: CN102768689A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉若鵬;欒琳;劉斌;何振明;季春霖
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，包括以下步驟：

初始化超材料的可用區(qū)域，確定所述可用區(qū)域的中心點以及所述可用區(qū)域的邊界；

以所述中心點為坐標(biāo)原點依次對稱繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至繪制的多個單元晶格充滿所述可用區(qū)域且所述可用區(qū)域內(nèi)的單元晶格未超出所述邊界。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，以所述中心點為坐標(biāo)原點依次對稱繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至繪制的多個單元晶格充滿所述可用區(qū)域且所述可用區(qū)域內(nèi)的單元晶格未超出所述邊界，具體包括：

以所述中心點為對稱中心，縱向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；

計算當(dāng)前繪制的單元晶格的中心點坐標(biāo)以及頂點坐標(biāo)；

判斷當(dāng)前繪制的單元晶格與所述邊界的距離是否小于所述預(yù)設(shè)尺寸，若否，則繼續(xù)縱向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；若是，則以距離所述中心點預(yù)設(shè)尺寸的正整數(shù)倍的位置為對稱中心，依次縱向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至所繪制的單元晶格未超出所述邊界且緊靠所述邊界的單元晶格與所述邊界的距離小于所述預(yù)設(shè)尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，以所述中心點為坐標(biāo)原點依次對稱繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至繪制的多個單元晶格充滿所述可用區(qū)域且所述可用區(qū)域內(nèi)的單元晶格未超出所述邊界，具體包括：

以所述中心點為對稱中心，橫向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；

計算當(dāng)前繪制的單元晶格的中心點坐標(biāo)以及頂點坐標(biāo)；

判斷當(dāng)前繪制的單元晶格與所述邊界的距離是否小于所述預(yù)設(shè)尺寸，若否，則繼續(xù)橫向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；若是，則以距離所述中心點預(yù)設(shè)尺寸的正整數(shù)倍的位置為對稱中心，依次橫向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至所繪制的單元晶格未超出所述邊界且緊靠所述邊界的單元晶格與所述邊界的距離小于所述預(yù)設(shè)尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，初始化超材料的可用區(qū)域包括：

設(shè)置預(yù)留邊緣，確定可用區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，所述可用區(qū)域為除去預(yù)留邊緣的超材料區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，所述可用區(qū)域為圓形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元晶格的繪制方法，其特征在于，所述可用區(qū)域為正方形、長方形或梯形。

8.一種超材料單元晶格的繪制系統(tǒng)，其特征在于，包括：

初始化單元，用于初始化超材料的可用區(qū)域，確定所述可用區(qū)域的中心點以及所述可用區(qū)域的邊界；

繪制單元，用于以所述中心點為坐標(biāo)原點依次對稱繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至繪制的多個單元晶格充滿所述可用區(qū)域且所述可用區(qū)域內(nèi)的單元晶格未超出所述邊界。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超材料單元晶格的繪制系統(tǒng)，其特征在于，所述繪制單元包括：

第一繪制單元，用于以所述中心點為對稱中心，縱向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；

第一計算單元，用于計算當(dāng)前繪制的單元晶格的中心點坐標(biāo)以及頂點坐標(biāo)；

第一判斷單元，用于判斷當(dāng)前繪制的單元晶格與所述邊界的距離是否小于所述預(yù)設(shè)尺寸，若否，則繼續(xù)縱向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；若是，則以距離所述中心點預(yù)設(shè)尺寸的正整數(shù)倍的位置為對稱中心，依次縱向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至所繪制的單元晶格未超出所述邊界且緊靠所述邊界的單元晶格與所述邊界的距離小于所述預(yù)設(shè)尺寸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超材料單元晶格的繪制系統(tǒng)，其特征在于，

第二繪制單元，用于以所述中心點為對稱中心，橫向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；

第二計算單元，用于計算當(dāng)前繪制的單元晶格的中心點坐標(biāo)以及頂點坐標(biāo)；

第二判斷單元，用于判斷當(dāng)前繪制的單元晶格與所述邊界的距離是否小于所述預(yù)設(shè)尺寸，若否，則繼續(xù)橫向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格；若是，則以距離所述中心點預(yù)設(shè)尺寸的正整數(shù)倍的位置為對稱中心，依次橫向?qū)ΨQ繪制預(yù)設(shè)尺寸的單元晶格直至所繪制的單元晶格未超出所述邊界且緊靠所述邊界的單元晶格與所述邊界的距離小于所述預(yù)設(shè)尺寸。