[發明專利]功率放大裝置及功放電路

無效

• 申請號: 201110111346.5
• 申請日: 2011-04-29
• 公開（公告）號: CN102185564A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 崔曉俊;陳化璋;劉建利
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H03F1/04
• 分類號: H03F1/04
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 田紅娟;龍洪

1.一種功率放大裝置，該裝置包括一個或多個串聯的推動級功放電路以及與最后一個推動級功放電路的輸出端連接的末級功放電路，其特征在于：所述推動級功放電路和末級功放電路均采用Doherty電路結構。

2.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于：所述Doherty電路結構包括：

功率分配子電路；

與所述功率分配子電路輸出端連接的一個主放大器和至少一個輔助放大器；

以及與所述主放大器、輔助放大器的輸出端連接的功率合成子電路。

3.如權利要求2所述的功率放大裝置，其特征在于：在所述推動級功放電路中，所述主放大器和輔助放大器均采用橫向擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDMOS)功放管實現，或所述主放大器采用高電子遷移率晶體管(HEMT)功放管實現，所述輔助放大器采用LDMOS功放管實現。

4.如權利要求2所述的功率放大裝置，其特征在于：所述末級功放電路的主放大器采用高電子遷移率晶體管(HEMT)功放管實現主功放功能，輔助放大器采用LDMOS功放管實現輔助功放功能。

5.一種功率放大裝置，該裝置包括一個或多個串聯的推動級功放電路以及與最后一個推動級功放電路的輸出端連接的末級功放電路，其特征在于：所述推動級功放電路和末級功放電路均采用Doherty電路結構，所述推動級功放電路均采用橫向擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDMOS)功放管實現Doherty電路結構的主(Carrier)放大器和輔助(Peak)放大器，所述末級功放電路采用高電子遷移率晶體管(HEMT)功放管實現Doherty電路結構的主(Carrier)放大器，采用擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDMOS)實現輔助(Peak)放大器。

6.一種功率放大裝置，該裝置包括一個或多個串聯的推動級功放電路以及與最后一個推動級功放電路的輸出端連接的末級功放電路，其特征在于：所述推動級功放電路和末級功放電路均采用Doherty電路結構，所述推動級功放電路和末級功放電路采用高電子遷移率晶體管(HEMT)功放管實現Doherty電路結構的主(Carrier)放大器，采用擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDMOS)實現輔助(Peak)放大器。

7.一種功率放大裝置的功放電路，其特征在于：所述功放電路采用Doherty電路結構，采用高電子遷移率晶體管(HEMT)功放管實現Doherty電路結構的主(Carrier)放大器，采用擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDMOS)實現輔助(Peak)放大器。

8.如權利要求7所述的功放電路，其特征在于：所述功放電路是所述功率放大裝置的推動級或末級。

9.一種功率放大裝置的功放電路，其特征在于，所述功放電路包括：

功率分配子電路；

與所述功率分配子電路輸出端連接的主放大器，所述主放大器采用高電子遷移率晶體管(HEMT)功放管實現主功放功能；

至少一個與所述功率分配子電路輸出端連接的輔助放大器，所述輔助放大器采用擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDMOS)功放管實現輔助功放功能；

以及與所述主放大器、輔助放大器的輸出端連接的功率合成子電路。

10.如權利要求9所述的功放電路，其特征在于：所述功放電路是所述功率放大裝置的推動級或末級。