[發(fā)明專利]一種制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110110367.5
• 申請日: 2011-04-29
• 公開（公告）號: CN102412125A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/26
• 分類號: H01L21/26;H01L21/318;H01L21/8234
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種如權(quán)利要求1所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：其特征在于包括以下順序步驟：

步驟1，先在硅基板上沉積一層第一氮化硅薄膜層，利用等離子體對第一氮化硅薄膜進行處理；

步驟2，在第一氮化硅薄膜層之上沉積第二氮化硅薄膜，并利用等離子體處理該第二氮化硅薄膜層；

步驟3，重復(fù)步驟1和2，直至自下而上的多層氮化硅薄膜層的總厚度達到工藝所需要求；

步驟4，對所述多層氮化硅薄膜層進行紫外光照射。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：所述等離子體為含有氫元素的等離子體，用于提高氮化硅薄膜層的含氫量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：所述含有氫元素的等離子體為氫氣等離子體、和/或氨氣等離子體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：所述氮化硅薄膜層覆蓋在硅基板中所制備的CMOS器件中所包含的NMOS器件上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：所述沉積和處理過程在同一個反應(yīng)腔室內(nèi)進行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：重復(fù)所述步驟1和2的次數(shù)為5~30次，每次沉積薄膜的厚度為15~50A。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造高拉應(yīng)力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：利用紫外光照射氮化硅薄膜層之后，以增大氮化硅薄膜層中凈含氫量的損失度，用于提高多層氮化硅薄膜層的拉應(yīng)力。