[發明專利]一種避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法有效
| 申請號： | 201110110191.3 | 申請日： | 2011-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN102420113A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 周軍 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 避免 光刻 硅片 背面 金屬 沾污 方法 | ||
1.一種避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，具體包括如下步驟：
對要進入光刻機進行各項工藝的硅片進行背面清洗處理；
將清洗處理完的硅片放置在一個托盤上；
將硅片和所述托盤一起送入光刻機，進行光阻的旋轉涂覆，曝光及顯影；
將硅片和所述托盤在垂直于硅片表面的方向上進行分離；
再次對硅片背面進行背面清洗處理。
2.根據權利要求1所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述對要進入光刻機進行各項工藝的硅片進行背面清洗處理中使用的清洗液為包括HF和H2O2的混合溶液。
3.根據權利要求2所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述對要進入光刻機進行各項工藝的硅片進行背面清洗處理中使用的清洗液處理溫度為0-100℃。
4.根據權利要求1所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述托盤所使用的材料中不含金屬。
5.根據權利要求4所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述托盤在低于500℃的溫度下沒有明顯擴散。
6.根據權利要求5所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述托盤的底層材料為硅。
7.根據權利要求6所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述托盤有與硅片切口對應的凸起。
8.根據權利要求7所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述托盤具有如下特性：與硅片背面的硅在平行于硅片表面的方向的靜態摩擦阻力非常高，在垂直于硅片表面的方向沒有顯著的粘附力。
9.根據權利要求8所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述再次對硅片背面進行背面清洗處理中使用的清洗液為包括HF和HNO3的混合溶液。
10.根據權利要求9所述的避免光刻機被硅片背面金屬沾污的方法，其特征在于，所述再次對硅片背面進行背面清洗處理中使用的清洗液處理溫度為0-100℃。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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