[發明專利]一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝無效
| 申請號: | 201110110068.1 | 申請日: | 2011-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN102757053A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | 沈杰 | 申請(專利權)人: | 昆山智集材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/12 | 分類號: | C01B33/12;B82Y40/00 |
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| 地址: | 215332 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 分散 納米 二氧化硅 化學 沉淀 生產工藝 | ||
1.本發明是一一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,包括如下步驟:
步驟一,將水和乙醇按一定的物質的量比在燒杯中混合;
步驟二,向步驟一得到的溶液中加入一定量的表面活性劑聚乙二醇并劇烈攪拌;
步驟三,向步驟二得到的溶液中加入一定量的正硅酸乙酯,劇烈攪拌下充分混合;
步驟四,將步驟三得到的溶液升溫到一定溫度,并持續攪拌一定的時間;
步驟五,向步驟四得到的溶液中緩慢滴加一定量的氨水,反應一段時間得到沉淀物;
步驟六,將步驟五得到的沉淀反復醇洗、離心;
步驟七,將步驟六得到的沉淀在一定溫度下恒溫干燥一定時間,即得到所需產品納米二氧化硅。
2.根據權利要求1所述的一一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,其特征在于步驟一中,水和乙醇的比例為1∶5-1∶8。
3.根據權利要求1所述的一一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,其特征在于步驟二中,聚乙二醇的用量為乙醇用量的1%-5%。
4.根據權利要求1所述的一一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,其特征在步驟三中,正硅酸乙酯的用量為乙醇用量的10%-15%。
5.根據權利要求1所述的一一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,其特征在于步驟四中,溫度為30-45℃,攪拌時間為10min-20min。
6.根據權利要求1所述的一一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,其特征在于步驟五中,氨水的用量為2mol-4mol,反應時間為20min-40min。
7.根據權利要求1所述的一種單分散納米二氧化硅的化學沉淀法生產工藝,其特征在于步驟七中,干燥時間為2h-4h。
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