[發(fā)明專利]形成柵極圖案的方法以及半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110109827.2
• 申請(qǐng)日: 2011-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN102760654A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張翼英;何其旸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 羅銀燕

1.一種形成柵極圖案的方法，所述柵極圖案包含沿第一方向相互平行的多個(gè)柵極條，各柵極條被間隙斷開，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在襯底上形成柵極材料層；

使所述柵極材料層的至少將形成所述間隙的位置處的蝕刻特性與所述柵極材料層的其余位置處的蝕刻特性不同；

在所述襯底上的所述柵極材料層上形成第二抗蝕劑層；

對(duì)第二抗蝕劑層進(jìn)行第二圖案化處理，以形成沿第一方向相互平行且連續(xù)延伸的多個(gè)開口；

以經(jīng)第二圖案化處理后的第二抗蝕劑層為掩模，對(duì)所述柵極材料層進(jìn)行第一蝕刻處理，其中，所述柵極材料層的所述至少將形成所述間隙的位置處的部分被選擇性地留下；以及

對(duì)所述柵極材料層進(jìn)行第二蝕刻處理，以選擇性地去除所述柵極材料層的所述至少將形成所述間隙的位置處的部分。

2.如權(quán)利要求1所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，使所述柵極材料層的至少將形成所述間隙的位置處的蝕刻特性與所述柵極材料層的其余位置處的蝕刻特性不同的步驟包括：

在所述柵極材料層的所述至少將形成所述間隙的位置處對(duì)所述柵極材料層進(jìn)行注入或氧化。

3.如權(quán)利要求2所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，使所述柵極材料層的至少將形成所述間隙的位置處的蝕刻特性與所述柵極材料層的其余位置處的蝕刻特性不同的步驟包括：

在所述襯底上的所述柵極材料層上形成第一抗蝕劑層；

對(duì)第一抗蝕劑層進(jìn)行第一圖案化處理，以露出所述柵極材料層的所述至少將形成所述間隙的位置；以及

以經(jīng)第一圖案化處理后的第一抗蝕劑層為掩模，對(duì)所述柵極材料層進(jìn)行注入或氧化。

4.如權(quán)利要求1所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，使所述柵極材料層的至少將形成所述間隙的位置處的蝕刻特性與所述柵極材料層的其余位置處的蝕刻特性不同的步驟包括：

在所述柵極材料層的所述其余位置處對(duì)所述柵極材料層進(jìn)行注入或氧化。

5.如權(quán)利要求4所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，使所述柵極材料層的至少將形成所述間隙的位置處的蝕刻特性與所述柵極材料層的其余位置處的蝕刻特性不同的步驟包括：

在所述襯底上的所述柵極材料層上形成第一抗蝕劑層；

對(duì)第一抗蝕劑層進(jìn)行第一圖案化處理，以露出所述柵極材料層的所述其余位置；以及

以經(jīng)第一圖案化處理后的第一抗蝕劑層為掩模，對(duì)所述柵極材料層進(jìn)行注入或氧化。

6.如權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，當(dāng)進(jìn)行注入時(shí)，所注入的雜質(zhì)選自C、Ge、B、P、As。

7.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，第一蝕刻處理中的蝕刻選擇比大于2∶1。

8.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，第二蝕刻處理中的蝕刻選擇比大于10∶1。

9.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，所述柵極材料層的所述至少將形成所述間隙的位置包括將多個(gè)相鄰的所述間隙作為一個(gè)一體化的間隙的位置。

10.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，所述柵極材料層是多晶硅層。

11.如權(quán)利要求10所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，在形成所述柵極圖案之后，將所述柵極條的材料替換為金屬。

12.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，

在所述柵極材料層上形成有硬掩模層；

對(duì)所述硬掩模層而不是所述柵極材料層進(jìn)行各所述步驟；以及

所述形成柵極圖案的方法還包括：

以經(jīng)第二蝕刻處理后的所述硬掩模層為掩模，通過第三蝕刻處理形成所述柵極圖案。

13.如權(quán)利要求12所述的形成柵極圖案的方法，其特征在于，所述硬掩模層是硅氮化物層、硅氧化物層或聚合物層。

14.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置具有柵極圖案，所述柵極圖案包含沿第一方向相互平行的多個(gè)柵極條，各柵極條將被間隙斷開，其特征在于，

至少所述間隙的位置處具有柵極條材料，并且所述柵極條材料的蝕刻特性與所述柵極條的蝕刻特性不同。