[發明專利]一種多晶硅薄膜的制備方法有效

申請號：	201110108921.6	申請日：	2011-04-28
公開（公告）號：	CN102249553A	公開（公告）日：	2011-11-23
發明（設計）人：	萬青;黃晉;龔駿;竺立強;李莉	申請（專利權）人：	中國科學院寧波材料技術與工程研究所
主分類號：	C03C17/34	分類號：	C03C17/34;C04B41/52
代理公司：	北京鴻元知識產權代理有限公司 11327	代理人：	陳英俊
地址：	315201 浙江***	國省代碼：	浙江;33
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種多晶薄膜制備方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：首先在襯底上沉積一層SiO₂或SiN_x顆粒膜作為過渡層，接著在該過渡層上在高溫下采用化學氣相沉積技術沉積一層厚度為10微米～100微米的多晶硅薄膜，然后利用SiO₂或SiN_x顆粒膜的疏松性分離多晶硅薄膜和襯底，最后清洗去掉粘附在多晶硅薄膜上的SiO₂或SiN_x顆粒后得到多晶硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：所述的襯底材料為石英、多晶硅、單晶硅或石墨。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：所述的SiO₂或SiN_x顆粒膜采用印刷、噴涂或者化學氣相沉積的方法在襯底上沉積。

4.根據權利要求3所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：利用化學氣相沉積的方法沉積所述的SiO₂顆粒膜時，硅源氣體是SiH₄或者SiHCl₃，氧源氣體是O₂。

5.根據權利要求3所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：利用化學氣相沉積的方法沉積所述的SiN_x顆粒膜時，硅源氣體是SiH₄或者SiHCl₃，氮源氣體是NH₃。

6.根據權利要求1所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：所述的多晶硅薄膜的沉積溫度為700℃～1100℃。

7.根據權利要求1所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：所述的多晶硅薄膜沉積所采用的氣體為SiH₄或者SiHCl₃。

8.根據權利要求1所述的一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征是：所述的多晶硅薄膜沉積過程中同時通入硼烷或磷烷，分別實現P型摻雜或N型摻雜。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院寧波材料技術與工程研究所，未經中國科學院寧波材料技術與工程研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110108921.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。