[發(fā)明專利]輻射率可調(diào)的二氧化釩基復合薄膜及其制備方法和應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110108344.0
• 申請日: 2011-04-28
• 公開（公告）號: CN102757184A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高彥峰;康利濤;羅宏杰;金平實
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優(yōu)麗

1.一種輻射率可調(diào)的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，包括二氧化釩薄膜層和復合于所述二氧化釩薄膜層能夠降低所述二氧化釩基復合薄膜的輻射率的透明導電薄膜層，且所述二氧化釩基復合薄膜的輻射率為0.70以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述透明導電薄膜層由含有氧化物和/或氮化物的透明導電材料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述氧化物為含有摻雜型SnO₂和/或ZnO導電化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述氧化物為銻摻雜二氧化錫、銦摻雜二氧化錫、氟摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、鎵鋁共摻雜氧化鋅或其任意混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述氮化物為TiN_x、ZrN_x、HfN_x或其任意混合物，其中0.6≤x≤1.5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述二氧化釩基復合薄膜的輻射率為0.50以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述二氧化釩基復合薄膜對可見光的透過率為20%以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述二氧化釩基復合薄膜對可見光的透過率為40%以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述的透明導電薄膜層是單層或多層結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述的透明導電薄膜層的厚度為20～800nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述的二氧化釩薄膜層厚度為10～200nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述的二氧化釩薄膜層的主成分為VO_2-y，其中-0.3<y<0.6。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述的二氧化釩薄膜層中摻雜有一種或多種摻雜元素，所述摻雜元素選自鎢、鉬、鈮、鉻、鈦、鋁、鉭、錳、氟、氮和氫。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述的VO_2-y的主結(jié)晶相為金紅石相。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的二氧化釩基復合薄膜，其特征在于，所述二氧化釩基復合薄膜附著于透明襯底上，且在所述透明襯底與二氧化釩薄膜層之間、所述二氧化釩薄膜層與透明導電薄膜層之間、兩層透明導電薄膜層之間、和/或所述透明導電薄膜層與空氣界面處沉積有過渡層，所述過渡層由包括ZnS、Nb₂O₆、TiO₂、TeO₂、ZrO₂、HfO₂、Ta₂O₅、CeO₂、SiN_z(0.?5≤z≤1.?6)?、SnO₂、In₂O₃、ITO、Y₂O₃、Al₂O₃、AlN、MgO、Sc₂O₃、ZnO、WO₃、SiO、SiO_aN_b(1≤a≤2，0≤b≤1)、SrTiO₃中的一種或多種的無機透明材料制成。

16.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項所述的二氧化釩基復合薄膜的方法，包括：

在透明襯底上沉積二氧化釩薄膜層的工序；及

在沉積有二氧化釩薄膜層的透明襯底上沉積透明導電薄膜層的工序。