[發(fā)明專利]一種低損耗表面等離子激元光波導(dǎo)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110108305.0
• 申請日: 2011-04-28
• 公開（公告）號: CN102169206A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭錚;蘇亞林;卞宇生;劉婭
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種同時具備低傳輸損耗和強場約束能力的表面等離子激元光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其橫截面包括介質(zhì)基底層、位于介質(zhì)基底層上的高折射率介質(zhì)區(qū)域、高折射率介質(zhì)區(qū)域上方的金屬層、被高折射率介質(zhì)區(qū)域和金屬層包圍的低折射率介質(zhì)區(qū)域以及包層；其中，高折射率介質(zhì)區(qū)域的寬度范圍為所傳輸光信號的波長的0.06-0.4倍，高度范圍為所傳輸?shù)墓庑盘柕牟ㄩL的0.06-0.4倍，低折射率介質(zhì)區(qū)域上方與金屬層下方相接，且低折射率介質(zhì)區(qū)域的寬度范圍為高折射率介質(zhì)區(qū)域?qū)挾鹊?.15-0.9倍，其高度范圍為高折射率介質(zhì)區(qū)域?qū)挾鹊?.15-0.9倍，金屬層的寬度大于低折射率介質(zhì)區(qū)域的寬度且不大于高折射率介質(zhì)區(qū)域的寬度；高折射率介質(zhì)的材料折射率高于介質(zhì)基底層、低折射率介質(zhì)區(qū)域、以及包層的材料折射率，介質(zhì)基底層的材料折射率大于1.4，介質(zhì)基底層、低折射率介質(zhì)區(qū)域和包層的材料可為相同材料或不同材料，介質(zhì)基底層、低折射率介質(zhì)區(qū)域和包層的材料折射率的最大值與高折射率介質(zhì)的材料折射率的比值小于0.75。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)中金屬層的材料為能產(chǎn)生表面等離子激元的金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻中的任何一種、或是各自的合金、或是上述金屬構(gòu)成的復(fù)合材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)中高折射率介質(zhì)區(qū)域與低折射率介質(zhì)區(qū)域共同構(gòu)成的區(qū)域的截面的外輪廓形狀為正方形、矩形、或梯形中的任何一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)中低折射率介質(zhì)區(qū)域的截面的形狀為正方形、矩形、圓形、橢圓形或梯形中的任何一種。