[發明專利]非易失性存儲器元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110107959.1
• 申請日: 2011-04-28
• 公開（公告）號: CN102751334A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 許正源;黎俊霄
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種非易失性存儲器，包括：

基底；

第一柵極堆疊結構，位于該基底上；

選擇柵，位于該第一柵極堆疊結構的第一側的該基底上；

擦除柵，位于該第一柵極堆疊結構的第二側的該基底上；

源極區，位于該擦除柵下方的該基底中；

漏極區，位于該選擇柵的一側的該基底中；

第一介電層，位于該第一柵極堆疊結構與該擦除柵之間以及該第一柵極堆疊結構與該源極區之間；以及

第二介電層，位于該選擇柵與該基底之間，

其中該第一柵極堆疊結構包括：

由下而上依序堆疊的隧穿介電層、浮置柵、柵間介電層與控制柵；

以及

間隙壁，位于該控制柵以及該柵間介電層的側壁，

其中該浮置柵與該擦除柵相鄰的一側具有尖角的包覆輪廓，該尖角凸出于該間隙壁的縱表面。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中該擦除柵在對應該浮置柵的該尖角之處具有內凹的輪廓。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中該第一介電層共形覆蓋于該第一柵極堆疊結構的表面以及該源極區的表面上。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中該間隙壁與該浮置柵之間還包括緩沖層。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其中該第一柵極堆疊結構還包括頂蓋層，該頂蓋層位于該控制柵上。

6.如權利要求1所述的非易失性存儲器，還包括：

第二柵極堆疊結構，該第二柵極堆疊結構與該第一柵極堆疊結構具有相同的結構，共同構成柵極堆疊結構組；以及

另一漏極區，位于該第二柵極堆疊結構的一側的該基底中。

7.一種非易失性存儲器的制造方法，包括：

于基底上依序形成隧穿介電層以及圖案化的第一導體層；

于該圖案化的第一導體層的第一表面上依序堆疊圖案化的柵間介電層與圖案化的第二導體層，裸露出該圖案化的第一導體層的第二表面，該第二表面與該第一表面相鄰；

于該基底上覆蓋保護層，僅裸露出該圖案化的第一導體層的第一側壁；

于該圖案化的第一導體層的該第一側壁形成凹口，使其具有尖角的輪廓；

于鄰近該圖案化的第一導體層的該第一側壁的該基底中形成源極區；

移除該第二表面上的部分該保護層，使該圖案化的第一導體層的該尖角裸露出來；以及

于該圖案化的第一導體層的第二側壁以外的該基底中形成漏極區。

8.如權利要求7所述的非易失性存儲器的制造方法，其中形成該保護層的步驟包括：

于該圖案化的第一導體層的該第二表面上形成緩沖層；以及

于該緩沖層上以及該圖案化的第二導體層的第一側的該基底上形成間隙壁與遮蔽層，其中該間隙壁位于該圖案化的第二導體層與該遮蔽層之間。

9.如權利要求8所述的非易失性存儲器的制造方法，其中移除該第二表面上的部分該保護層是移除該遮蔽層及其下方的該緩沖層，使該圖案化的第一導體層的該尖角裸露出來。

10.如權利要求8所述的非易失性存儲器的制造方法，其中形成該圖案化的第一導體層、該圖案化的柵間介電層與該圖案化的第二導體層、該緩沖層、該間隙壁與該遮蔽層的步驟包括：

于該隧穿介電層上形成第一導體層，裸露出部分該隧穿介電層；

于該第一導體層上形成該圖案化的柵間介電層與該圖案化的第二導體層；

移除該圖案化的第二導體層第一側的部分的該第一導體層；

于該圖案化的第二導體層第二側的該第一導體層上形成緩沖材料層；

于該圖案化的第二導體層的側壁、該圖案化的柵間介電層的側壁以及該圖案化的第一導體層的第二側壁形成該間隙壁與該遮蔽層，裸露該第二側的該緩沖材料層；以及

移除該第二側的該遮蔽層所裸露的該緩沖材料層及其下方的該第一導體層，留下的該第一導體層為上述該圖案化的第一導體層，以及留下的該緩沖材料層為上述該緩沖層。