[發明專利]一種LED外延片表面制備TiO2納米柱陣列的方法無效
| 申請號： | 201110107701.1 | 申請日： | 2011-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN102214738A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發明（設計）人： | 郝霄鵬;劉曉燕;吳擁中;尹正茂;周偉家;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/44;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 于冠軍 |
| 地址： | 250100 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 外延 表面 制備 tio sub 納米 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED外延片表面制備TiO2納米柱陣列的方法，其特征是，包括以下步驟：
(1)應用金屬有機化學氣相沉積的方法在藍寶石襯底上依次外延生長N型GaN層、多量子阱有源區和P型GaN層，形成外延片；
(2)在P型GaN層表面蒸鍍一層1nm-200nm厚的鈦，然后在400℃-600℃下煅燒1小時-5小時，使鈦轉變為TiO2，作為種子層；
(3)采用水熱法制備TiO2納米柱陣列，將20mL?3M-8M的HCl溶液放入高壓釜中，室溫下攪拌1分鐘-10分鐘，加入0.1mL-5mL鈦酸四丁酯，攪拌5分鐘，制成混合溶液；將帶有TiO2種子層的外延片放入混合溶液中并以傾斜狀態靠在高壓釜的內襯壁上，在120℃-180℃下反應1小時-24小時，然后冷卻到室溫。
2.根據權利要求1所述的LED外延片表面制備TiO2納米柱陣列的方法，其特征是，所述步驟(3)中外延片的傾斜狀態是與水平面的傾斜角度為5-80度。
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