[發明專利]模擬緩沖電路

有效

• 申請號: 201110104722.8
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102263101A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 陳沛樺;丁友信;傅春霖;盧朝文;林男穎;徐偉鈞
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G09G3/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術領域

本發明是有關于一種模擬緩沖電路，且特別是有關于一種使用一共用電極的模擬緩沖電路。

背景技術

顯示面板通常具有一基板以及形成于其上的多個像素元件。這些像素元件基本上是以矩陣方式配置，而矩陣的列上具有柵極線，而矩陣的行上則具有數據線。顯示面板是由包含一柵極驅動器及一數據驅動器的驅動電路所驅動。柵極驅動器產生多個柵極信號(掃描信號)依序作用于柵極在線以逐列依序開啟像素元件。數據驅動器產生多個源極信號(數據信號)，即循序取樣的影像信號，這些信號同時被傳遞至該數據在線，并與柵極信號協同作用以顯示影像于面板上。

在此種驅動電路中，具有多級的移位緩存器是用于柵極驅動器中，以產生前述多個柵極信號以依序驅動柵極線。為了降低成本，過去已有許多作法嘗試將移位緩存器與門極驅動器整合進顯示面板。例如，其中一種作法便是將移位緩存器與門極驅動器制作于面板的玻璃基板上，亦即所謂矩陣基板行驅動技術(gate?driver?on?array，GOA)，其主要是使用非晶硅(a-Si)薄膜晶體管，及/或低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管。

圖4是一顯示面板10，具有一GOA架構11，其上形成具有多級電路12的移位緩存器。每一級電路12產生一掃描信號，以驅動顯示面板10對應的像素列。為了提升移位緩存器的驅動能力，通常將模擬緩沖器20耦接于每一級電路12以及對應的像素列14之間，以增加移位緩存器輸出信號的電流推力。在GOA架構11中，各模擬緩沖器20形成于基板13上，且各模擬緩沖器20具有布局線寬H，而線寬H基本上與顯示面板10的像素列14的寬度相等。由于高畫質影像顯示器對于分辨率的要求很高，移位緩存器通常設計為具有很多級電路。因此，基板上每一級電路12的可布局空間減小，因而模擬緩沖器20的面積亦必須被迫縮小。

如圖5所示，模擬緩沖器20包含一n型通道薄膜晶體管(NTFT)21以及一p型通道薄膜晶體管(PTFT)22。n型通道薄膜晶體管21及p型通道薄膜晶體管22各自具有形成于基板13上的源極區21a、22a及漏極區21b、22b，源極區以及漏極區之間界定有通道區21c、22c。n型通道薄膜晶體管21的漏極區21b以及p型通道薄膜晶體管22的漏極區22b間隔一距離w，漏極區21b、22b的寬度為d，其間并以互連層25相互電性連接。如圖5所示，模擬緩沖器20具有寬度Wc＝(w1+2d+w+w2)。一般而言，薄膜晶體管的通道寬度及長度的縮小會造成飽和電流的降低并損害薄膜晶體管的穩定性。

因此，有必要針對上述缺點進行改善處理。

發明內容

本發明的目的在于提供一種模擬緩沖器電路。可因而縮小在顯示面板上使用的模擬緩沖電路的布局面積。

為實現本發明的目的而提供一種模擬緩沖器電路，包括一p型通道薄膜晶體管以及一n型通道薄膜晶體管。

前述p型通道薄膜晶體管及n型通道薄膜晶體管中每一者均包含：一源極區及一漏極區、一第一絕緣層、一柵極層、一第二絕緣層、一源極電極、一共用漏極電極。前述源極區及漏極區形成于一基板上，兩者間界定出一通道區，使p型通道薄膜晶體管的漏極區及n型通道薄膜晶體管的漏極區相互接觸，而界定出一空乏區于p型通道薄膜晶體管的漏極區與n型通道薄膜晶體管的漏極區接觸的一接面。前述第一絕緣層形成于基板上并覆蓋對應的源極區、漏極區以及通道區。前述柵極層形成于第一絕緣層上，并覆蓋對應的通道區。前述第二絕緣層形成于第一絕緣層上，并覆蓋對應的柵極層。前述源極電極形成于第二絕緣層上且電性連接至對應的源極區。前述共用漏極電極形成于第二絕緣層上，并透過一界定于空乏區之上的通孔電性連接至p型通道薄膜晶體管及n型通道薄膜晶體管的漏極區。

p型通道薄膜晶體管及該n型通道薄膜晶體管各自的通道區是以多晶硅形成。

p型通道薄膜晶體管的源極區及漏極區是以p型重摻雜半導體形成，n型通道薄膜晶體管的源極區及漏極區是以n型重摻雜半導體形成。

n型通道薄膜晶體管進一步包含一第一n型輕摻雜區以及一第二n型輕摻雜區，第一n型輕摻雜區形成于源極區及通道區之間，該第二n型輕摻雜區形成于通道區及漏極區之間。

p型通道薄膜晶體管及n型通道薄膜晶體管的漏極之間的接面包含一pn接面。

該通孔具有一大于該空乏區的寬度，使得該共用漏極電極橫跨該空乏區且與p型通道薄膜晶體管的漏極區及n型通道薄膜晶體管的漏極區接觸。