[發明專利]具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構及制造方法

有效

• 申請號: 201110104067.6
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102751190A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 張淵舜;涂高維
• 申請（專利權）人: 科軒微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 項榮;武玉琴

1.一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板；

形成具有一第一導電型的一外延層于該基板上；

形成多個柵極結構于該外延層內；

形成具有該第一導電型的一淺層摻雜區于該外延層的表面；

形成一遮蔽結構于該淺層摻雜區上；

利用該遮蔽結構形成具有一第二導電型的多個阱區于該外延層內；以及

利用該遮蔽結構形成具有該第一導電型的一源極摻雜區于阱區的表面；

其中，該淺層摻雜區的摻雜濃度小于該源極摻雜區的摻雜濃度與該阱區的摻雜濃度，該淺層摻雜區的摻雜濃度大于該外延層的摻雜濃度。

2.如權利要求1所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，形成該淺層摻雜區的步驟于形成該多個柵極結構之前。

3.如權利要求2所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，形成該遮蔽結構于該淺層摻雜區上的步驟與形成該多個柵極結構于該外延層內的步驟同時完成。

4.如權利要求1所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，其中，該遮蔽結構包括：

一介電層；以及

一復晶層，位于該介電層之上。

5.如權利要求1所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，還包括：

形成一第一介電結構于該柵極結構上；

利用該遮蔽結構與該第一介電結構形成一源極接觸窗于該外延層內；

形成一第二導電型的接觸摻雜區于該源極接觸窗下方；以及

形成一導電層于該源極接觸窗與該遮蔽結構上；

其中，該源極接觸窗的深度大于該源極摻雜區的深度。

6.如權利要求5所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，形成該第一介電結構的步驟，同時形成一第二介電結構于該遮蔽結構上。

7.如權利要求1所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構的制造方法，其特征在于，形成該阱區的步驟之前，先形成一第一導電型的擴散區于該外延層內。

8.一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構，其特征在于，包括：

一第一導電型的外延層；

多個柵極結構，位于該外延層內；

多個第二導電型的阱區，位于該外延層內，且相鄰的該阱區間存在一距離；

一第一導電型的淺層摻雜區，位于相鄰的該阱區之間；

一遮蔽結構，位于該第一導電型的淺層摻雜區上；以及

一第一導電型的源極摻雜區，位于該阱區的表面；

其中，該第一導電型的淺層摻雜區的摻雜濃度小于該源極摻雜區的摻雜濃度，該淺層摻雜區的摻雜濃度大于該外延層的摻雜濃度。

9.如權利要求8所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構，其特征在于，還包括：一第二導電型的淺層摻雜區，位于該第一導電型的淺層摻雜區與該源極摻雜區之間。

10.如權利要求8所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構，其特征在于，該第一導電型的淺層摻雜區的深度小于該源極摻雜區的深度。

11.如權利要求8所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構，其特征在于，該遮蔽結構包括：

一介電層；以及

一復晶層，位于該介電層之上。

12.如權利要求8所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構，其特征在于，還包括：

一第一導電型的擴散區，位相鄰的該阱區之間，且該第一導電型的擴散區深度大于該源極摻雜區的深度，該第一導電型的擴散區的摻雜濃度大于該外延層的摻雜濃度。

13.如權利要求11所述的一種具快速切換能力的溝渠式功率金氧半導體結構，其特征在于，還包括：一第二介電結構位于該復晶層上，其中，該復晶層電性連結至一源極電極。