[發明專利]一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器及其制作方法有效
| 申請號: | 201110103949.0 | 申請日: | 2011-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN102261924A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 王婷婷;柯煒;葛益嫻 | 申請(專利權)人: | 南京信息工程大學 |
| 主分類號: | G01D5/26 | 分類號: | G01D5/26;G02B6/255 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 李紀昌 |
| 地址: | 210044 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 光子 晶體 光纖 法布里 干涉 傳感器 及其 制作方法 | ||
1.一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器,其特征在于:該傳感器由一根普通通信單模光纖和一根實芯光子晶體光纖構成,兩者的一端用光纖熔接機熔接連接,使得光子晶體光纖中的空氣孔塌陷,兩根光纖間的空氣腔形成微型光纖法布里-珀羅干涉腔,光子晶體光纖和單模光纖的兩個端面即空氣腔的前后表面為微型法布里-珀羅干涉腔的兩個反射面,其干涉腔為橢球腔,腔長8μm-20μm,反射凹面曲率半徑和腔長接近相等。
2.根據權利要求1所述的一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器,其特征在于所述的普通通信單模光纖為SMF,實芯光子晶體光纖為SM-7.0。
3.根據權利要求2所述的一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器,其特征在于所述的法布里-珀羅干涉傳感器的帶寬為2.1nm,精細度為47,對比度為30dB。
4.一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器的制作方法,其特征在于:該方法包括??以下步驟:
(1)首先將待切割的實芯光子晶體光纖和普通通信單模光纖的一端部分浸入丙酮中,一分鐘后用試鏡紙除去這部分的涂覆層;
(2)用光纖切割刀切割普通通信單模光纖和實芯光子晶體光纖,保護好切割端面;
(3)用光纖熔接機將已切割好端面的一端進行熔接,熔接時光子晶體光纖應稍遠離電極;第一次放電后,熔接點處邊緣首先熔接上,而中心由于光子晶體光纖包層空氣孔的塌陷排出的空氣被捕獲形成空氣腔;
(4)實時監測反射譜,多次追加放電,使反射條紋的精細度和對比度最大,這時腔長與反射面曲率半徑接近相等;
(5)將光子晶體光纖未熔接的一端置于匹配液中或繞成環狀,防止產生多重法布里-珀羅干涉干涉。
5.根據權利要求4所述的一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器的制作方法,其特征在于:所述的普通通信單模光纖為SMF,實芯光子晶體光纖為SM-7.0。
6.根據權利要求5所述的一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器的制作方法,其特征在于:所述的步驟(3)放電的熔接參數:預熔時間0.2s,預熔電流5mA,?間隙50μm,熔接電流7mA,熔接時間650ms,z軸推進量15μm。
7.根據權利要求5所述的一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器的制作方法,其特征在于:步驟(4)中追加放電的熔接參數電流7mA,?追加放電時間650ms。
8.根據權利要求5所述的一種基于實芯光子晶體光纖的法布里-珀羅干涉傳感器的制作方法,其特征在于:步驟(4)中多次追加放電的次數為4次。
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