[發明專利]一種由粉煤灰提取鎵的方法有效
| 申請號: | 201110103840.7 | 申請日: | 2011-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN102191384A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 凌文;蔣引珊;魏存弟;李楠;顧大釗;郭昭華;楊殿范;池君洲;鄒萍 | 申請(專利權)人: | 中國神華能源股份有限公司;神華準格爾能源有限責任公司 |
| 主分類號: | C22B7/00 | 分類號: | C22B7/00;C22B3/10;C22B3/44;C25C1/22;C22B58/00 |
| 代理公司: | 北京邦信陽專利商標代理有限公司 11012 | 代理人: | 王昭林;崔華 |
| 地址: | 100011 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 粉煤 提取 方法 | ||
1.一種從粉煤灰中提取鎵的方法,其特征在于,所述方法包括:
a)將粉煤灰粉碎至100目以下,濕法磁選除鐵,使粉煤灰中氧化鐵的含量降至1.0wt%以下,然后向粉煤灰中加入鹽酸溶液進行反應并進行固液分離,以得到pH值為1-3的鹽酸浸液;
b)將鹽酸浸液通入大孔型陽離子樹脂柱進行鎵的吸附,待樹脂吸附飽和后用水或鹽酸作為洗脫劑進行洗脫,得到含鎵的洗脫液;
c)向洗脫液中加入氫氧化鈉溶液進行反應,過濾沉淀、得到含鎵的偏鋁酸鈉溶液;
d)向含鎵的偏鋁酸鈉溶液通入適量二氧化碳進行碳酸化,進行鎵鋁分離,以得到鎵和氧化鋁的質量比大于1∶340的鋁鎵復鹽;
e)將鋁鎵復鹽加入氫氧化鈉溶液中進行反應,并蒸發濃縮以得到鎵和氫氧化鈉含量均達到1mol/L以上的鎵鋁堿液,然后進行電解,即得金屬鎵。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟a)中的鹽酸為20-37wt%濃度的鹽酸;所述鹽酸中HC1與粉煤灰中氧化鋁的摩爾比為4∶1-9∶1。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述步驟a)中反應溫度為100-200℃,反應壓力為0.1-2.5MPa,反應時間為0.5-4.0小時。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述步驟b)中大孔型陽離子樹脂為D001、732、742、7020H、7120H、JK008或SPC-1樹脂。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述步驟b)中將鹽酸浸液通入大孔型陽離子樹脂柱的步驟為:在20℃-90℃下,將鹽酸浸液以自下而上的方式通過樹脂柱,鹽酸浸液的流速為1-4倍樹脂體積/小時。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述步驟b)中鹽酸的濃度為2-10wt%。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述步驟b)中的洗脫條件為:洗脫溫度為20℃-60℃,洗脫劑用量為1-3倍樹脂體積,洗脫速度為1-3倍樹脂體積/小時。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述步驟c)中氫氧化鈉溶液的濃度為180-240g/L。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于,所述步驟c)中反應的溫度為20℃-100℃。
10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,所述步驟d)中向含鎵的偏鋁酸鈉溶液通入適量二氧化碳進行碳酸化的步驟包括:
一次碳酸化:偏鋁酸鈉母液中直接通入二氧化碳氣體,氣體流速為80-160ml/min,確保反應的均勻性,控制反應溫度為40-90℃,碳酸化時間為4-10h,反應終點pH為10.6-9.7,反應后大部分鋁生成氫氧化鋁沉淀而將鎵留在溶液中,實現鋁鎵的初次分離;
二次碳酸化:對經過一次碳酸化分離出氫氧化鋁沉淀后的溶液,繼續通入二氧化碳氣體,氣體流速為100-160ml/min,控制反應溫度為30-60℃,碳酸化時間為3-7h,反應終點pH為9.8-9.0,使氫氧化鋁全部沉淀,鎵大部分沉淀,過濾獲得鋁鎵復鹽沉淀;濾液進行蒸發、濃縮、分離、析出碳酸鈉晶體,分離碳酸鈉后的含鎵濾液再返回二次碳酸化步驟的開始繼續碳酸化。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,所述步驟e)中氫氧化鈉溶液的濃度為180-245g/L。
12.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,所述步驟e)中的反應的溫度為20℃-100℃。
13.根據權利要求1-12所述方法,其特征在于,所述步驟a)中濕法磁選除鐵所用的設備為立環磁選機,其中,所述立環磁選機包括:轉環、感應介質、上鐵軛、下鐵軛、勵磁線圈、進料口、尾礦斗和沖水裝置,感應介質安裝在轉環中,勵磁線圈設置在上鐵軛和下鐵軛周圍,以使上鐵軛和下鐵軛成為一對產生垂直方向磁場的磁極,所述上鐵軛和下鐵軛分別設置在轉環下方的環內、環外兩側,其中,所述感應介質為多層鋼板網,每層鋼板網由絲梗編成,所述絲梗的邊緣具有棱狀尖角,所述上鐵軛與進料口連接,所述下鐵軛與用于出料的尾礦斗連接,所述沖水裝置位于轉環上方;所述進料口與上鐵軛的側部連接;所述立環磁選機還包括冷卻裝置,所述冷卻裝置是設置在勵磁線圈周圍的均壓腔水套。
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