[發明專利]一種二氧化鈦光電極及其制備方法有效
| 申請號： | 201110103363.4 | 申請日： | 2011-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN102760581A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發明（設計）人： | 孫文濤;彭練矛;艾果 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01G9/042 | 分類號： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 電極 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二氧化鈦光電極，包括導電基底和導電基底上排列的二氧化鈦納米棒陣列，其特征在于，在二氧化鈦納米棒陣列中填充有二氧化鈦納米顆粒。
2.如權利要求1所述的二氧化鈦光電極，其特征在于，所述二氧化鈦納米棒垂直排列在導電基底上。
3.權利要求1所述二氧化鈦光電極的制備方法，包括如下步驟：
1)在導電基底上制備二氧化鈦納米棒陣列；
2)利用液相法在二氧化鈦納米棒陣列的基礎上生長二氧化鈦納米顆粒，形成二氧化鈦納米棒-納米顆粒復合結構的薄膜。
4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟1)采用水熱法或模板法制備二氧化鈦納米棒陣列。
5.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟2)將二氧化鈦納米棒陣列放入含有鈦前驅體的酸性水溶液中進行二氧化鈦納米顆粒的生長，使二氧化鈦納米顆粒填充滿二氧化鈦納米棒陣列。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟2)所述含有鈦前驅體的酸性水溶液中Ti4+或Ti3+的濃度為0.3-0.7摩爾/升。
7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述鈦前驅體是鈦酸四丁酯、鈦酸乙酯、鈦酸丙酯、四氯化鈦或三氯化鈦。
8.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟2)所述含有鈦前驅體的酸性水溶液的pH值在5以下。
9.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟2)二氧化鈦納米顆粒生長的溫度為50-100℃，時間為2-8小時。
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